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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.10 no.10, 2000년, pp.665 - 670
이진우 (서울대학교 재료공학부) , 강춘식 (서울대학교 재료공학부) , 송오성 (서울시립대학교 재료공학과) , 류지호 (대천대학 기계자동차학부)
Linear annealing method was developed to increase the bond strength of Si wafer pair mated at room temperature instead of conventional furnace annealing method. It has been known that the interval of the two mating wafer surfaces decreases and the density of gaseous phases generated at the interfac...
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