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직접 접합된 Si-Si, Si-$SiO_2$/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구
Study on the Bonding Interface in Directly Bonded Si-Si and Si-$SiO_2$ Si Wafer Pairs 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.4 no.2, 1994년, pp.127 - 135  

주병권 (KIST정보전자연구부) ,  방준호 (한양대학교 금속공학과) ,  이윤희 (KIST정보전자연구부) ,  차균현 (고려대학교 전자공학과) ,  오명환 (KIST정보전자연구부)

초록
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직접 접합된 Si 기판들의 접합계면에 관하여 연구하였다. 경사 연마 및 결함묘사, 계면의 비등방성 식각, TEM 및 HR-TEM 등의 방법들을 이용하여 접합계면에 발생하는 계면결함과 과도영역, 여러형태의 void 들, 계면 산화막의 형성 및 안정화 과정등을 조사하였다. 또한 접합된 $Si-Sio_{2}$계면과 일반적인 $Si-Sio_{2}$계면의 형상등을 비교 검토하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated the bonding interfaces of directly-bonded Si-Si and $Si-Sio_{2}$/Si wafer pairs. By the angle lapping-delineation, anisotropic etching, and (FIR)-TEM observation methods, we studied on the interface defects and the transient region originated from the interface stress, the...

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