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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.11 no.5, 2001년, pp.218 - 223
김근주 (울산과학대학 반도체응용과) , 고재천 (한국화학연구소 화학공정연구센터)
The chemical-mechanical polishing process was carried out for 2"-dia. sapphire wafer grown by horizontalBridgman method on the urethane lapping pad with the silica sol. The polished wafer shows the full-width at halfmaximum of 200~400 arcsec in double-crystal X-ray diffraction, indicating that the s...
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