$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[국내논문] Cu oxide의 형성과 H(hfac) 반응을 이용한 Cu 박막의 건식식각
Cu dry etching by the reaction of Cu oxide with H(hfac) 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.11 no.6, 2001년, pp.527 - 532  

양희정 (국민대학교 금속재료공학부) ,  홍성진 (국민대학교 금속재료공학부) ,  조범석 (국민대학교 금속재료공학부) ,  이원희 (국민대학교 금속재료공학부) ,  이재갑 (국민대학교 금속재료공학부)

초록
AI-Helper 아이콘AI-Helper

O$_2$plasma와 H(hfac)을 이용한 Cu 박막건식 식각을 조사하였다. 휘발성이 큰 Cu(hfac)$_2$$H_2O$를 탈착시키기 위하여 $O_2$ Plasma를 이용한 Cu 박막의 산화와 생성된 Cu 산화막을 H(hfac)과의 반응으로 제거하는 공정으로 식각을 수행하였다. Cu 박막의 식각율은 50-700 /min의 범위를 보였으며, 기판온도, H(hfac)/O$_2$ 유량비, plasma power에 따라 변하였다. Cu 박막의 식각율은 기판온도 215$^{\circ}C$보다 높은 온도구간에서 RF power가 증가함에 따라 증가하였고, 산화 공정과 H (hfac)과의 반응이 균형을 이루는 최적의 H (hfac)/O$_2$ 유량비는 1:1임을 확인하였다. Ti mask를 사용한 Cu Patterning은 유량비 1 : 1, 기판온도 25$0^{\circ}C$에서 실시하였고, 30$^{\circ}$외 taper slope를 갖는 등방성 etching profile을 얻을 수 있었다. Taper angle을 갖는 Cu 건식 patterning은 고해상도의 대면적 thin film transistor liquid-crystal(TFT-LCDs)를 위래 필요한 것으로써 기판온도, RF power, 유량비를 조절한 one-step 공정으로부터 성공적으로 얻을 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Dry etching of copper film using $O_2$ plasma and H(hfac) has been investigated. A one-step process consisting of copper film oxidation with an $O_2$ plasma and the removal of surface copper oxide by the reaction with H(hfac) to form volatile Cu(hfac)$_2$ and $H...

Keyword

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본 연구에서는 다양한 기판 온도에서 02 plasma를 이용하여 Cu 박막을 산화시켜, 생성된 Cu oxide를 H (hfac)과 반응하여 낮은 기판 온도에서도 표면으로부터 쉽게 분리되는 Cu(hfac)2(s)t- 형성, 탈착시키는 방법을 이용한 건식 식각 공정을 실시하였다. Cu 박막의 산화와 식각을 분리 및 동시에 진행함으로써 고해상도를 갖는 large area display device 공정에 필요한 taper etching 의 공정변수에 대해 연구하였다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (17)

  1. N. Awaya and Y. Arita, J. Electron. Mater., 21, (1992) 959 

  2. A. Jain, T.T. Kodas, R. Jairath, and M.J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. & Technol. B, 11, (1993) 2107 

  3. J. Lin and M. C. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 4863 

  4. S. P. Murarka and S. Hymes, Solid State Mater. Sci., 20, (1995) 87 

  5. Y.J. Park, V.K. Andleigh and C.V. Thompson, J. Appl. Phys., 85 (7), (1999) 3546 

  6. C. Whitman, M.M. Moslehi, A. Paranjpe, L. Velo, and T. Omstead, J. Vac. Sci. & Technol. A, 17(4), (1999) 1893 

  7. R. Liu, C.S. Pai, and E. Martinez, Solid State Electr., 43, (1999) 1003 

  8. X. W. Lin and D. Pramanlk, Solid State Technology, October, (1998) 63 

  9. K. Ohno, M. Sato, and Y. Arita, J. Electrochem. Soc., 143, (1996) 4089 

  10. G.C. Schwartz and P. M. Schaible, J. Electrochem. Soc., 130, (1983) 1777 

  11. K. Ohno, M. Sato, and Y. Arita, Jpn. J. Appl. Phys., 28, (1989) 1070 

  12. S.K. Lee, S.S. Chun, C.Y. Hwang, and W.J. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 36, (1997) 50 

  13. B.J. Howard and C.H. Steinbruchel, Appl. Phys. Lett., 59, (1991) 914 

  14. Y. Ohshita and N. Hosoi, Thin Solid Films, 262, (1995) 67 

  15. M.S. Kwon and J.Y. Lee, J. Electrochem. Soc., 146, (1999) 3119 

  16. A. Jain, T.T. Kodas, and M.J. Hampden-Smith, Thin Solid Films, 269, (1995) 51 

  17. S.W. Kwang, H.U. Kim, and S.W. Rhee, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, (1999) 1 

저자의 다른 논문 :

활용도 분석정보

상세보기
다운로드
내보내기

활용도 Top5 논문

해당 논문의 주제분야에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

BRONZE

출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로