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텅스텐 실리사이드를 차세대 게이트 전극으로 이용한 MOS 소자의 특성 분석
Characteristics of Metal-Oxide- Semiconductor (MOS) Devices with Tungsten Silicide for Alternate Gate Metal
원문보기
電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.38 no.7 = no.289, 2001년, pp.513 - 519
노관종 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) , 윤선필 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) , 양성우 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부) , 노용한 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학부)
초록
Si 과다 텅스텐 실리사이드를 초미세 MOS 소자의 대체 게이트 전극으로 제안하였다. SiO₂위에 텅스텐 실리사이드를 직접 증착하고 급속 열처리를 수행한 결과 낮은 저항을 얻고 불소(F) 확산 또한 무시할 수 있음을 확인하였다. 특히, 800 ℃, 진공 분위기에서 3분간 급속 열처리한 텅스텐 실리사이드의 경우 비저항이 ∼160 μΩ·cm이었고, 불소확산에 의한 산화막의 불균일한 성장도 발견할 수 없었다. 또한, WSix-SiO₂-Si (MOS) 캐패시터의 전기적 특성 분석 결과도 우수하였다.
Abstract
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We proposed Si-rich tungsten silicide (WSix) films for alternate gate electrode of deep-submicron MOSFETs. The investigation of WSix films deposited directly on SiO
참고문헌 (15)
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- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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