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X-ray Response Characteristic of Zn in the Polycrystalline Cd1-xZnxTe Detector for Digital Radiography 원문보기

Transactions on electrical and electronic materials, v.3 no.2, 2002년, pp.28 - 31  

Kang, Sang-Sik (Department of Biomedical Science and Engineering, Inje University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The Cdl-xZnxTe film was fabricated by thermal evaporation for the flat-panel X-ray detector. The stoichimetric ratio and the crystal structure of a polycrystalline Cd$_{1-x}$ Zn$_{x}$Te were investigated by EPMA and XRD, respectively. The leakage current and X-ray sensitivity o...

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제안 방법

  • Japan) for quantitative analysis. X-ray diffraction was carried out to investigate the crystal structure of th Cdi_xZnxTe film using XRD (RAD-3C, Rigakt Japan)[9].

대상 데이터

  • for a flat-panel X-ray detector. The starting erials were prepared by mixing CdTe (99.999%) and :99.999%) in a stoichimetric ratio of x = 0, 0.15, .025, ).Prior to Cdi.
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참고문헌 (11)

  1. A. A. Melnikov, 'CdZnTe radiation detectors', J. of Crystal Growth, Vol. 197, p. 663, 1999 

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  3. S. Tokuda, S. Adachi, T. Sato, T. Yoshimura, H. Nagata, K. Uehara, Y Izumi, O. Teranuma, and S. Yamada, 'Experimental evaluation of a novel CdZnTe flat-panel X-ray detector for digital radiography and fluoroscopy', SPIE, Vol. 4320, p. 140, 2001 

  4. H. Hermon, M. Schieber, A. Zuck, A. Vilensky, L. Melekhov, E. Shtekel, A. Green, O. Dagan, S.E. Ready, R.A. Street, E.S. Seppi, R. Pavlyuchkova, OVirshuP, G. Zentai, and L. Partain, 'Deposition of thick films ofpolycrystalline mercuric iodide x-Ra detectors', SPIE, Vol. 4320, p. 133, 2001 

  5. G. C. Giakos, S. Vedantham, S. Suryanarayanan, S Chowdhury, R, Guntupalli, J. Odogba, V. Vega Lozada, B. Pillai, and D. B. Sheffer, 'Imag analysis of CdZnTe detectors for digital radio graphy', IEEE Instrumental and Measuremer Technology Conference, p. 358, 1998 

  6. L. Verger, J. P. Bonnefoy, F. Glasser, and P. Overiei Buffet, 'New developments in CdTe and CdZnT detectors for X and $\gamma$ -ray applications'. J Electronic Matehals, Vol. 26, No. 6, p.738, 1997 

  7. A. Jahnke and R. Matz, 'Signal formation and decay in CdTe x-ray detectors under intens irradiation', Med. Phys., Vol. 26, No. 1, p. 38, 1999 

  8. A. Cavallini, B. Fraboni, W. Dusi, M. Zanarini, and P. Siffert, 'Deep levels and compensation in $\gamma$ irradiated CdZnTe', Appl. Phys. Lett., Vol. 77, No 20, p. 3212, 2000 

  9. I. -S. Jeong, J. -U. Kim, H. -B. Gu, H. -G. Kim and M. -M. Son, 'The electrochemical cha ractehzation of $LiMn_{2-y}Mg_yO_4$ cathode material', J of KIEEME(in Korean), Vol. 14, No. 4 p. 310, 200 

  10. H. -J. Lee, K. -T. Lee, S. -G. Park, U-S. Park, and H. -J. Kim, 'Electrical and leakage current characteristic of high temperature polycrystal in silicon thin film transistor', Vol. 11, No. 10, p. 918 1998 

  11. D. -Y. Kim, S. -W. Choi, and J. -S. Lee, 'Electhca and structural characteristic of CaF2 thin film', Vol 11, No. 12, p. 1122, 1998 

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