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인체에 대전된 정전기 방전에 의해 발생한 급속과도전압의 측정
Measurements of Fast Transient Voltages due to Human Electrostatic Discharges 원문보기

照明·電氣設備學會論文誌 = Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers, v.16 no.4, 2002년, pp.108 - 116  

이복희 (인하대학교 전자전기공학부) ,  이동문 (인하대학교 전자전기공학과) ,  강성만 (인하대학교 전자전기공학과) ,  엄주홍 (인하대학교 전자전기공학과) ,  이태룡 (인하대학교 전자전기공학과) ,  이승칠 (한진중공업주식회사)

초록
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본 논문은 인체에 대전된 정전기 방전전압 파형의 측정과 특성 분석에 관한 것으로 정전기 고속과도전압 측정기의 동작원리와 설계기법에 대하에 기술하였다. 여러 가지 실험조건에서 인체에 대전된 전하에 의해 발생한 정전기방전전압의 피크값과 상승시간을 분석하였다. 제안된 전압측정계의 주파수대역은 DC-400[MHz]이다. 각 실험조건에서 정전기 방전전압과 전류의 파형은 거의 비슷하였으며, 크기도 비례적 관계를 나타내었다. 빠른 접근일 때가 느린 접근일 때 보다 빠른 초기상승시간의 정전기방전전압이 나타났다. 인체에 의한 직접 방전전압은 비교적 초기상승시간이 10-30[ns]로 길었으나, 크기는 작았다. 반면에 손에 쥔 금속체를 통한 방전전압은 1~3[ns]의 짧은 상승시간을 가지며 피크값은 매우 크게 나타났다. 결국 정전기 방전전압과 전류 파형은 정전기 방전을 일으키는 접촉물체와 접근속도에 깊은 관계가 있음을 알았으며, 본 연구의 결과는 정전기 장해방지장치의 설계를 위한 기초자료로 활용될 것이다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper presents the measurements and evaluation of voltage waveforms due to human electrostatic discharge(ESD). The principle of operation and design rule of a new device for measuring the ESD fast transient voltages with very fast rise time were described. Peak values and rise time of ESD volta...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 인체에서 혼히 발생하는 정전기 방전 현상에 대한 특성의 분석과 효과적인 보호 대책에 필요한 기초자료를 얻기 위한 목적으로 정전기 방전에 의해서 발생하는 전압과 전류의 파형을 정확하게 측정할 수 있는 고주파 검출용 전압센서를 제안하였다. 실제의 일상 생활에서 발생빈도가 높은 인간의 행동 조건을 모의해서 바닥재질의 절연상태, 접촉물체의 종류와 접근속도 등 여러가지 실험조건에서 정전기 방전 전압과 전류 파형을 측정하고, 피크값과 상승 시간 등의 파라미터를 통계적으로 분석하였다.
  • 본 연구에서는 정전기 방전전압 파형을 정확하게 측정할 수 있는 광대역 계측시스템을 제안하였으며, 인체에 대전된 정전기 방전전압과 전류를 측정하고, 이들 파형의 특성과 파라미터를 분석한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다.
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참고문헌 (11)

  1. Vinson, J.E., Liou, J.J. “Electrostatic discharge in semiconductor devices: protection techniques”, IEEE Proceedings, Vol. 88, pp.1878 -1902, 2000. 

  2. S. U. Kim, "ESD Induced Gate Oxide Damage During Wafer Fabrication Process ", EOS/ESD Symposium Proceeding, Vol. EOS-14, pp.99-105, 1992. 

  3. E. W. Chase, "Electrostatic Discharge Mechanism and on Chip Protection Techniques to Ensure Device Reliability", J. Electrostatics, Vol. 24, pp.111-130, 1990. 

  4. James E. Vinson and Juin J. Liou, “Electrostatic Discharge in Semiconductor Devices”, Proceeding of the IEEE, Vol. 86, pp.399-420, 1998. 

  5. Wilson, P.F., Ma, M.T. "Fields radiated by electrostatic discharges", IEEE Trans., Vol. EMC-33, No.1, pp.10-18, 1999. 

  6. W. P. O'Neill, B. R. Varlow, “Electrostatic Discharge from the Human Body”, IEE Proceeding, Vol. 133, No. 9, pp.606-610, 1986. 

  7. J. Lalot, “Generation and Measurement of Fast Transient Overvoltage with Special Reference to Disconnector Operation in GIS”, CIGRE Int. Conf. on Larger High Voltage Electric Systems, No.36-88, WG-03, 1986. 

  8. Edmund K. Miller, Time-Domain Measurement in Electromagnetics, Van Norstand Reinhold Co., pp.175-290, 1986. 

  9. 백용현, 이복희, 안창환, “전계측정용 센서의 개발”, 전기학회 논문지, Vol. 40, No. 6, pp. 630-637, 1991. 

  10. Jonassen, N., “Human body capacitance: static or dynamic concept”, Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, pp.111-117, 1998. 

  11. “IEEE Guide on Electrostatic Discharge : ESD Withstand Capability Evaluation Methods for Electronic Equipment Subassemblies", IEEE Std., C62.38, pp.5-11, 1995. 

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