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RFIC를 위한 실리콘 기판에서의 고품질 본드와이어 인덕터 구현
Implementation of High-Q Bondwire Inductors on Silicon RFIC 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. TC, 통신, v.39 no.12 = no.306, 2002년, pp.559 - 565  

최근영 (아주대학교 전자공학부) ,  송병욱 (아주대학교 전자공학부) ,  김성진 (아주대학교 전자공학부) ,  이해영 (아주대학교 전자공학부)

초록
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현재 RFIC를 위해 실리콘 기판상에 구현되는 인덕터의 Q 값은 12 이하로 알려져있기 때문에, 고성능 회로설계를 위해서는 더욱 높은 Q 값을 갖는 인덕터의 구현이 필수적이다. 본 논문에서는 본드와이어를 이용하여 높은 Q 값을 가지는 두 개의 인덕터를 제안하였고, 동일한 인덕터에 PGS를 적용하여 총 4가지 형태의 인덕터를 구현하였다. 제안된 본드와이어 인덕터는 일반적인 금속선로보다 넓은 단면적 때문에 상대적으로 작은 도체 손실을 갖고, 인덕터의 상당부분이 공기 중에 위치하므로 기생 캐패시턴스 성분을 줄일 수 있다. 해석 및 측정결과 1.5 GHz 에서 기존의 나선형 인덕터보다 상당히 개선된 15이상의 Q 값을 가짐을 확인하였다. 또한 자동 본딩 머신을 사용하여 구현하기 때문에, 동일한 형태의 인덕터를 반복적으로 쉽게 만들 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Today, because a quality factor of the inductor fabricated on silicon substrate for RFIC is under 12, the realization of inductor haying high-Q is essential. In this paper, two inductors having improved Q-factor are proposed and fabricated using a bondwire on silicon substrate. Also for the PGS is a...

주제어

#inductor   #bondwire   #high-Q  

참고문헌 (11)

  1. N. Camiller, J. Costa, D. Lovelace, D. Ngo, 'Silicon MOSFETs, the microwave device technology for the 1990s,' IEEE MTT-S International, Microwave Symposium Digest, pp. 545-548, 1993 

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  2. K. B. Ashby, I. A. Koullias, W.C. Finley, J.J. Bastek, S. Moinian, 'High Q inductors for wireless applications in a complementary silicon bipolar process', IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.31, pp. 4-9, Jan. 1996 

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  3. C. P. Yue, S. S. Wong, 'On-chip spiral inductors with patterned ground shields for Si-based RF Ics' IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 33, Issue. 5, pp. 743-752, May 1998 

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  4. Y. E. Chen, D. Bien, D. Heo, J. Laskar, 'Q-enhancement of spiral inductor with N/sup+/-diffusion patterned ground shields', IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Vol.2, pp. 1289-1292, 2001 

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  6. 이용구, 이해영, '플라스틱 패키지되는 MMIC를 위한 저가격 고품질의 수직형 본드와이어 인덕터' 대한전자공학회지, 35(D 7), pp. 17-24, 1998년 6월 

  7. K. Murata, T. Hosaka, Y. Sugimoto, 'Effect of a ground shield of a silicon on-chip spiral inductor' Asia-Pacific Microwave Conference, pp. 177-180, 2000 

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  8. C. P. Yue, S. S. Wong, 'A study on substrate effects of silicon-based RF passive components' IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, VOL. 4, pp. 1625-1628, 1999 

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  9. K. O, 'Estimation methods for quality factors of inductors fabricated in silicon integrated circuit process technologies', IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 33, pp. 1249-1252, Aug. 1998 

    상세보기 crossref

  10. 송병욱, 이해영, '고품질 본드와이어 집적형 트랜스포머' 대한전자공학회지 39(TC 2), 23-33, 2002년 2월 

    원문보기 상세보기

  11. Sung-Jin Kim, Yong-Goo Lee, Sang-Ki Yun, Hai-Young Lee, 'Novel high-Q bondwire inductors for RF and microwave monolithic integrated circuits' IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Vol. 4, pp. 1621-1624, 1999 

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