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The high bias voltage associated with the thick layer (typically 500-1000 ㎛) of selenium required to have an acceptable x-ray absorption in radiography and fluoroscopy applications may have some practical inconvenience. A hybrid x-ray detector with zinc sulfide-amorphous selenium structure has been ...

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제안 방법

  • I-V characteristics of the hybrid detector and a-Se detector were measured to investigate the electrical properties of both detectors. The dark currents flowing in the a-Se detector and hybrid detector were measured without x-ray inadiation during applying voltage at an interval of 2 V/jt/m from 2 to 10 V/㎛.
  • In this work, a hybrid detector composed of a ZnS:Ag phosphor layer and a-Se photoconductive layer was fabricated as a new x-ray detector structure to improve the low x-ray sensitivity of a-Se based x-ray detector. The dark current and the x-ray sensitivity of the hybrid and selenium detector were measured as a function of applied voltages.

대상 데이터

  • Both deuterium discharge tube for the ultraviolet(UV) region and halogen lamp for the visible-near infrared region is used as light sources, and light sources are automatically turned at about 350 nm. Detectors are composed of PM tube for the UV-Visible region and cooled PbS type cell for the near-infrared region; the each detector is automatically exchanged at about 800 nm. The light absorption was measured at a wav이ength of 200-800 nm 디vith a scan rate of 600 nm/min.
  • nm. Experimental results were obtained on ZnS:Ag (200 ”m) and a-Se(l //m) deposited on ITO glass. Photoluminescence characterization of the ZnS:Ag phosphor layer shows a broad emission peak centered at about 450 nm, which matches the sensitivity spectrum of selenium.
  • The PL measurement system is composed of a He-Cd Laser(Spirox Holding) and double monochrometer (SPEX 1403). UV light excited from He-Cd laser (55 mW) is illuminated on the surface of ZnS:Ag phosphor layer (200 ㎛).
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참고문헌 (13)

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  7. H. Hermon, M. Schieber, A. Zuck, A. Vilensky, L.Melehov, E. Shtekel, A. Green, O. Dagan, S.E.Ready, R.A. Street, E. S. Seppi, R. Pavlyuchkova, GVirshuP, G. Zentai, and L. Partain, 'Deposition of thick films of polycrystalline mercuric iodide x-raydetectors, Proc. of SPIE, Vol. 4320, p. 133, 2001 

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  9. Wei Zhao and J. A. Rowlands, 'X-ray imaging using amorphous selenium: feasibility of a flatpanel self-scanned detector for digital radiology',Med. Phys., Vol. 22, p. 1595, 1995 

  10. A. S. Diamond, 'Handbook of Imaging Materials'Marcel Deker, p. 352, 1991 

  11. H. H. Kim, M. J. Cho, W. J. Choi, J. G. Lee, and KJ. Lim, 'Figure of merit for deposition conditions in ITO films', Trans. on EEM, Vol. 3, No 2, P. 6, 2002 

  12. G. F. Knoll, 'Radiation detection and measurement', John Wiley & Sons, Inc., p. 368, 2000 

  13. S. O. Kasap and J. A. Rowlands, 'Photoconductorselection for digital flat panel x-ray imagingdetectors based on the dark current', J. Vac. Sci.Technol. A, Vol. 18, No. 2, P. 615, 2000 

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