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문제 정의
- 따라서 구리 打속과 산화막 사이에 확산 방지막의 사용은 필수석이며, Cu 확산 방지막에 관한 연구와 게이트 절연막의 특성을 개선하기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다[3-5丄 -L 동안 여기 종류의 물질 長이 확산 방지막으로 연了되어 왔으며, 二L 걸과 내 화성 감속이 Cu 금속선 공정에 사용될 수 있上 효과석인 물질드 알려져 얏】다!:6 7]. 분 논문에서는 Cu의 선택적 증착이 용이하여 DRAM 집적공정을 단순화 시킬 수 있는 Pt/Ti 및 Ni/Ti를 Cu와 IMl)(inter metal di이ectric)사이의 확산 방지막으 로 사용하여 대부분 400’(:이하인 DRAM 후속 열처리 공정을 고려한 450°(:에서 Cu의 확산 저지능력을 爵 험하여 Pt/Ti 및 Ni/Ti름 DRAM 기술에서 'Cu의 확산 방지막으로서의 사용 가능성음- 확인하고자 하였다.
가설 설정
- Charge pumping 전류는 소스.드레 인 전극에 0.1V를 인가 하고, Vgb=2V, f=100KHz, t.r(rising time) = t.f(falling time)=0.1“s, sweep range -3~ IV를 게 이드 전극에 가한 후 측정하였다. 구리 확산 방지막이 있는 시료 E가 구리 확산 방지막 없이 구리만 증착된 시료 A보다 450℃ 분위기에서 어닌링 전, 후의 Icp 차이인 /\Icp가 훨씬 작다.
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