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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.40 no.6 = no.312, 2003년, pp.384 - 392
이은구 (인하대학교 전자공학과) , 김태한 (인하대학교 전자공학과) , 김철성 (인하대학교 전자공학과)
The algorithm for calculating the base-collector breakdown voltage of NPN BJT for integrated circuits is proposed. The method of three-dimensional mesh generation to minimize the time required for device simulation is presented and the method for calculating the breakdown voltage using solutions of ...
B.J.Baliga, Power semiconductor devices, PWS publishing company, Boston, pp. 66-90, 1996
TMA, DAVINCI manual, Technology Modeling Associates, California, 1995
P. Sonneveld, 'CGS, A Fast Lanczos-type Solver for nonsymmetric linear systems', SIAM J. Sci. Stat. Comput., Vol.10, No.1, pp. 36-62, 1989
김태한, 변형된 결합법을 이용한 혼합모드 소자-회로 시뮬레이터 구현에 관한 연구, 인하대학교 대학원 박사논문, 1998
김태한, 이은구, 김철성, '우수한 수렴특성을 갖는 3차원 포아송 방정식의 이산화 방법', 대한전자공학회논문집 제34권 D편 제8호, pp. 15-25,1997
TMA MEDICI Manual, Technology Modeling Associates, Inc., pp. 2.35-2.37, 1993
윤현민, 김태한, 김대영, 김철성, '3차원 정상상태의 드리프트-확산방정식의 해석 프로그램 개발', 대한전자공학회논문집 제34권 D편 제8호, pp. 41-51,1997
R.S.Muller, T.I.Kamins, Device electronics for Integrated Circuits, John Wiley & Sons, New York, pp. 270-294, 1977
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