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문제 정의
- 이 논문에서는 원형 대신 띠 모양의 에미터와그에 나란하게 정렬된 띠 모양의 게이트 구멍을 가지는 삼극구조의 가능성을 시뮬레이션을 통해연구하였디-. 띠 모양에 미터의의 양쪽 가장자리를 모두 이용하는 경우와 한쪽 가장자리만을 이용하는 경우에 대하여 전계와 방출 전자의 공간적 분포, 전자의 궤적, 그리고 전류-전압 특성 등을 계산하고 그 결과를 비교하였다.
가설 설정
- 시뷸레이션에서 CNT의 일함수는 5.0 eV로 가정하였다. CNT의 전계 강화 인자 8는 종류와 제작 방법, 분포 밀도 등 여라가지 요인에 따라 달라지는데⑹, 나중벽 나노튜브 (MWNT)의 경우 800~ 3, 000 :z리고 단일벽 나노튜브(SWNT)는 2000-1 0, 000으로 알려 져 있으며[7] 이 논문에서 는 전계 강화인 자를 1, 00。으로 가성하였 나.
- 길이는 220 例로 하였나. 양汗(anode)은 음渚에서 500 例 떨어져 있는 것으로 가정하였고 양吋 전압 ( K )은 500 V로 유지하였다.
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