[논문]반도체 웨이퍼의 오존 수(水) 세정을 위한 고농도 오존발생장치 특성 연구

손영수; 함상용; 문세호

문제 정의

본 실험의 목적은 반도체 세정공정용으로 제안한 6[g/hr] 급수 전극 오존발생장치 두 종류에 대하여 본 연구의 목적인 오존용존농도 60[ppm]급의 오존 수를 제조하는데 필요한 유량 1[ℓ/min]에서 오존 가스 농도 7 [wt%1의 특성을 갖는 오존 가스가 생성되는지의 여부를 확인하여 반도체 공정용 오존 발생 장치로의 효용성을 확인하는데 있다. 따라서, 제안한 각 오존 발생 장치에 대하여 산소공급 유량(0.3, 0.5, 1, 1.5, 2["min])과 방전관 내 압력(0.5, 0.7, 0.9, 1,1, L3[kg 중 /cm2], 인가전압(10~15[kV]) 및 주파수(1 ~1.85[kHz])를 변화시키면서 오존발생장치 에서 생성되는 오존가스의 농도를 측정하고 이를 이용하여, 오존 발생량과 수율은 식 (1) 과 식 (2) 에 의거 계산하였다. 오존 농도의 측정 정확도를 위하여 각 조건 변화에 따라 2회씩 반복 측정하여 그 평균치를 택하였다.
이는 유량이 증가할 경우 오존 생성에 영향을 미치는 여기 산소분자의 수는 증가하지만, 유속이 빨라져서 방전공간 내에 발생한 오존가스의 손실이 증가하여 오존농도가 저하되는 것으로 판단된다. 동일 유량에서 인가전압 증가에 따른 오존농도 증가는 인가전압 상승에 따라 방전관 내의 전력 밀도도 증가하므로 전자의 생성이 많아짐에 따른 산소 분자와의 충돌확률이 높아져서 여기 산소분자의 생성반웅이 활발하게 되는 데 기인한다. 수율의 경우는 방전 전압이 증가함에 따라 감소하며, 동일 방전 전압에서는 유량이 증가할수록 수율이 높게 나타났는데 이는 유량이 증가할수록 오존 발생량이 많기 때문에 수율도 증가한 것으로 사료된다.
따라서, 본 논문에서는 방전 공간 내에 금속 전극의 노출을 배제하는 이 중 유전체 구조를 채택하여 방전 공간 내부에 금속 전극과 전자의 충돌로 인한 금속이온 및 금속 파티 클 생성요인을 근본적 제거함으로써 반도체 공정에의 활용에 적합한 특성을 갖는 오존발생장치 구조를 제안하였다. 또한 제안한 오존 발생 장치는 유전체 내 • 외부를 순환하는 냉각수를 냉각장치로 활용함과 동시에 방전 전극으로 활용함으로써 유전체와 전극의 밀착력을 향상시켜 열 전달율을 높이고 이로 인한 냉각성능 향상으로 방전 시 발열에 의한 오존 분해 작용 억제로 고농도 달성에 적합하도록 구성하였다.
따라서, 본 연구에서는 고농도의 오존 수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정공정기술 개발의 일환으로서, 반도체 웨이퍼 세정공정 전용으로 사용하기 위한 고순도, 고농도의 수 전 극 오존발생장치를 제안하여 각각에 대해 유량, 압력, 인가전압 및 주파수 변화에 따른 발생농도 및 발생량 등 제 특성을 실험, 측정하였다. 오존 수를 이용한 반도체 세정 공정 한 개 라인에서 오존 용존 농도 60[mg/ℓ]급의 고농도 오존 수를 분당 10[2] 이상 만들기 위해서는 전용 오존발생장치의 성능이 분당의 산소 공급 유량에서 오존농도 7 [wt%] 이상(유량 [0.
냉각수를 전극으로 이용할 경우 수 전극의 전기적 저항이 금속 전극에 비해 크므로 금속전극을 이용하는 방전 장치보다 더 큰 전기적 손실이 예상되나, 유전체와 전극 사이의 밀착력 증대로 인한 냉각효율 향상으로 전기적 손실에 따른 오존 발생 특성 저하를 만회 할 수 있다. 본 연구에서는 수 전극 사용에 따른 전기적 저 항 증가를 최소화하기 위하여 냉각수에 미량의 전해질을 첨가함과 동시어), 가는 도선을 삽입하여 전기전도율을 증가 시 켰다.
따라서, 본 연구에서는 고농도의 오존 수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정공정기술 개발의 일환으로서, 반도체 웨이퍼 세정공정 전용으로 사용하기 위한 고순도, 고농도의 수 전 극 오존발생장치를 제안하여 각각에 대해 유량, 압력, 인가전압 및 주파수 변화에 따른 발생농도 및 발생량 등 제 특성을 실험, 측정하였다. 오존 수를 이용한 반도체 세정 공정 한 개 라인에서 오존 용존 농도 60[mg/ℓ]급의 고농도 오존 수를 분당 10[2] 이상 만들기 위해서는 전용 오존발생장치의 성능이 분당의 산소 공급 유량에서 오존농도 7 [wt%] 이상(유량 [0.5 Z/min]에서 최대 10[wt%]), 오존 발생량 40[g/W급의 오존 발생 특성을 만족해야 하는바, 본 연구에서는 6[g/hr]급으로 설계한 제안 구조를 갖는 단일 오존발 생장치가 상기의 특성을 만족하는지의 여부를 검토함으로써, 반도체 세정공정용 고농도 오존 발생 장치로의 타당성을 확인하였다.

제안 방법

그림 2(a)와 같이 내부 유전체 안쪽과 외부유전체 바깥쪽에 물을 채워 전극으로 사용함과 동시에 순환 시켜 냉각장치로 활용하기 위한 양면 수 전극 냉각 방식 구조와 그림 2(b)와 같이 내부 유전체 안의 물은 순환 시켜 전극과 동시에 냉각수 겸용으로 사용하고, 외부 유전체 바깥쪽 물은 순환하지 않고 냉각 핀을 설치하여 공냉식으로 냉각하는 단면 수냉 단면 공 냉각 방식을 혼용하는 수 전극구조의 두 가지 오존발생장치를 제작하여 제 특성 시험을 수행하였다. 사용한 유전체는 내부 유전체 직경 10mm, 외부유전체 직경 12mm인 두 개의 석영 유전체 관을 이용하여 방전 공극이 1mm 가 되도록 동축 원통형으로 구성하고 그 길이를 600mm로 하여 방전 공간을 제외한 내부 유 전체 관과 외부 워터 자켓 을 물로 채워 전극으로 이용하였다.
고농도의 오존 수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정공정 기술개발의 일환으로서, 반도체 웨이퍼 세정공정 전용으로 사용하기 위한 고순도, 고농도의 각기 다른 냉각방식을 갖는 수 전극 오존발생장치를 제안하여 각각에 대해 유량, 압력, 인가전압 및 주파수 변화에 따른 오존생성특성을 실험하였다.
교류 고전압을 공급하는 고전압 전원공급장치는 최근의 설계추세에 따라 짧은 미세방전주기 형성을 위해 빠른 전압 상, 하강율을 갖도록 인버터 방식으로 제작하였으며, 입력전압 AC 220V 입력전력 AC IkVA의 교류전원을 사용하였다. 또한 전원주파수는 최대 2.
그림 10은 제작한단 면 수 냉각 오존 발생 장치가 어느 조건에서 최대 압력의 영향을 받는지를 조사하기 위해 인가전압 14.4[kHz], 주파수를 1.69[kHz]로 고정하고, 유량 1[ℓ/min]과 L5[//min]에서 오존 방생 장치 내의 압력변화에 대한 오존농도 변화를 관찰하였다. 실험 결과 제작한 오존발생장 치는 방전관 내의 압력이 0.
제안한 오존발생장치의 제 특성을 실험하기 위한 실험장 치 구성도를 그림 3에 나타내었다. 두 오존발생장치 모두 산소가스를 원료로 사용하였으며, 레귤레이터에 의해 조정된 압력으로 토출된 산소가 유량계 (0-2.5M/min], Dewyer사, 미국)를 통하여 일정 유량을 오존발생장치 내부 로 유입토록 하였으며, 오존가스 출구 측에 압력계를 부 착하여 오존발생장치 내의 압력변화에 대한 특성을 관찰할 수 있도록 하였다.
따라서, 본 논문에서는 방전 공간 내에 금속 전극의 노출을 배제하는 이 중 유전체 구조를 채택하여 방전 공간 내부에 금속 전극과 전자의 충돌로 인한 금속이온 및 금속 파티 클 생성요인을 근본적 제거함으로써 반도체 공정에의 활용에 적합한 특성을 갖는 오존발생장치 구조를 제안하였다. 또한 제안한 오존 발생 장치는 유전체 내 • 외부를 순환하는 냉각수를 냉각장치로 활용함과 동시에 방전 전극으로 활용함으로써 유전체와 전극의 밀착력을 향상시켜 열 전달율을 높이고 이로 인한 냉각성능 향상으로 방전 시 발열에 의한 오존 분해 작용 억제로 고농도 달성에 적합하도록 구성하였다.
방전전력은 고압트랜스포머 입 력단에서 오존발생장치 전체회로에 소모되는 전력을 측정하였으며, 미국 볼텍사의 디지털 전력분석기를 사용하였다. 방 전전압은 고전압 분압기를 이용하여 디지털 오실로스코프로 측정하였으며, 생성된 오존가스의 농도는 자외선 흡수방식을 이용한 기상오존 모니터(미국 IN USA사)로 측정하여 오존 발생량을 계산하였다.
5kHz까지 가변하면 서 특성을 측정할 수 있다. 방전전력은 고압트랜스포머 입 력단에서 오존발생장치 전체회로에 소모되는 전력을 측정하였으며, 미국 볼텍사의 디지털 전력분석기를 사용하였다. 방 전전압은 고전압 분압기를 이용하여 디지털 오실로스코프로 측정하였으며, 생성된 오존가스의 농도는 자외선 흡수방식을 이용한 기상오존 모니터(미국 IN USA사)로 측정하여 오존 발생량을 계산하였다.
석영관은 국내에서 제작되는 표준 제품을 구입, 절단하여 사용하였으며, 내, 외부 유전체사이로 산소가스의 주입 및 오존가스 배출이 이루어지고 외부 석영관과 워터자켓으로 사용되는 석영관사이에 물을 채워 접지전극으로 활용하게 되므로, 각 석영관사이의 기밀 및 수밀을 유지하기 위해 전 문 업체에 의뢰하여 유리 용접하여 사용하였다. 양면 수 냉 각장치의 경우 내, 외부전극 냉각수 각각 2.5[Z/min]의 유 량으로 순환되도록 하였으며, 특히 전기적 절연에 유의하여 구성하였다. 단면 수 냉각장치의 경우, 고전압 전극용 냉각 수는 앞의 경우와 동일한 유량으로 순환하나, 접지 전극용 냉각수는 순환하지 않으며 외부 워터자켓과 접촉하여 방열핀을 부착, 팬을 통하여 냉각이 이루어진다.
85[kHz])를 변화시키면서 오존발생장치 에서 생성되는 오존가스의 농도를 측정하고 이를 이용하여, 오존 발생량과 수율은 식 (1) 과 식 (2) 에 의거 계산하였다. 오존 농도의 측정 정확도를 위하여 각 조건 변화에 따라 2회씩 반복 측정하여 그 평균치를 택하였다.

대상 데이터

단면 수 냉각장치의 경우, 고전압 전극용 냉각 수는 앞의 경우와 동일한 유량으로 순환하나, 접지 전극용 냉각수는 순환하지 않으며 외부 워터자켓과 접촉하여 방열핀을 부착, 팬을 통하여 냉각이 이루어진다. 사용한 냉각수는 모두 수돗물을 이용하였으며, 냉각수 온도는 18℃를 유지 하였다.
그림 2(a)와 같이 내부 유전체 안쪽과 외부유전체 바깥쪽에 물을 채워 전극으로 사용함과 동시에 순환 시켜 냉각장치로 활용하기 위한 양면 수 전극 냉각 방식 구조와 그림 2(b)와 같이 내부 유전체 안의 물은 순환 시켜 전극과 동시에 냉각수 겸용으로 사용하고, 외부 유전체 바깥쪽 물은 순환하지 않고 냉각 핀을 설치하여 공냉식으로 냉각하는 단면 수냉 단면 공 냉각 방식을 혼용하는 수 전극구조의 두 가지 오존발생장치를 제작하여 제 특성 시험을 수행하였다. 사용한 유전체는 내부 유전체 직경 10mm, 외부유전체 직경 12mm인 두 개의 석영 유전체 관을 이용하여 방전 공극이 1mm 가 되도록 동축 원통형으로 구성하고 그 길이를 600mm로 하여 방전 공간을 제외한 내부 유 전체 관과 외부 워터 자켓 을 물로 채워 전극으로 이용하였다. 냉각수를 전극으로 이용할 경우 수 전극의 전기적 저항이 금속 전극에 비해 크므로 금속전극을 이용하는 방전 장치보다 더 큰 전기적 손실이 예상되나, 유전체와 전극 사이의 밀착력 증대로 인한 냉각효율 향상으로 전기적 손실에 따른 오존 발생 특성 저하를 만회 할 수 있다.
석영관은 국내에서 제작되는 표준 제품을 구입, 절단하여 사용하였으며, 내, 외부 유전체사이로 산소가스의 주입 및 오존가스 배출이 이루어지고 외부 석영관과 워터자켓으로 사용되는 석영관사이에 물을 채워 접지전극으로 활용하게 되므로, 각 석영관사이의 기밀 및 수밀을 유지하기 위해 전 문 업체에 의뢰하여 유리 용접하여 사용하였다. 양면 수 냉 각장치의 경우 내, 외부전극 냉각수 각각 2.

성능/효과

결론적으로 고농도의 오존생성특성 달성과 오존 가스 내에 금속 이온염 및 불순물이 배제되도록 이 중 유전체 구조를 채택하고, 전기저항이 높은 수 전극의 사용으로 인한 전기적 손실을 보상하기 위해 고농도 발생을 위한 주요 설계 인자인 수냉•공냉식 구조를 적용한 수 전극 오존발생장치를 개발하였으며, 본 실험을 통하여 오존생성 특성이 반도체 세정공정에서 고농도/고순도의 오존 수 제조에 적합한 구조임을 확인함으로써 전용 오존발생장치 구조로 타당성이 있음을 입증하였다.
결론적으로 이 중 유전체의 사용과 전기저항이 높은 수 전 극의 사용으로 인한 전기적 손실을 고농도 발생의 주요 설 계인 자인 수•공냉식 발생장치 구조를 택하여, 고농도의 달성과 오존 가스 내에 금속 이온염 및 불순물이 섞이지 않도록 설계한 제안 오존발생장치 구조가 반도체 세정공정에 오존 수를 적용하기 위한 오존발생 전용 구조로 사용할 수 있음을 확인하였다.
그러나, 발생량의 경우 유량이 너무 작기 때문에 설계 목표인 6[g/hr]에 미치지 못하였다. 그러나, 본 오존발생장치의 설계 유량인 l[Z/min] 이상, 주파수 1.4[kHz] 이상에서 목표치인 7[wt%] 이상의 오존농도가 측정되었으며, 오존 발생량도 주파수 1.845[kBz]에서 8.08[g/M]를 기록함으로써 설계목표성능을 초과함을 확인할 수 있었다. 이와 같이 기존의 금속전극을 사용한 무성 방전식 오존 발생 장치에 비해 본 수 전극 오존 발생구조가 높은 농도를 발생한 이유는 농도 저하의 가장 큰 원인인 전극 및 유전체의 온도상승으로 인한 방전공간의 오존분해작용 현상을 물을 전극으로 사용함과 동시에 냉각수로 활용하고 또한 공냉식을 혼용함으로써 방전관 내의 온도 상승 억제 효과에 기인한 것으로 판단된다.
4[kV]에서 주파수 변화에 따른 수율 변화를 비교한 것으로 주파수가 높아짐에 오존농도가 높아지면서 수율도 상승하나, 특정 주파수에서는 높은 주파수로 인한 온도상승 효과로 농도가 더 이상 높아지지 않으면서 에너지 손실이 많이 발생하여 수율은 오히려 감소하는 경향을 보이고 있으며, 단면 수 냉각 구조의 수율이 약 20% 이상 좋은 것으로 나타났다. 따라서, 전체적인 오존생성 특성이 양면 수 냉각의 경우보다 단면 수 냉각 오존발생장치 구조가 더 양호한 결과를 나타냄으로써, 일반적으로 양면 수 냉각 방식이 단면 수냉, 단면 공냉 방식에 비해 냉각효율이 좋으므로 이로 인하여 양면 수 전극구조의 오존생성 특성이 더 우수할 것으로 생각했던 설계 시의 예측과는 다른 결과를 얻었다. 이는 실험 장치 구성에 있어 양면 수 냉각을 위해 양측의 냉각수를 순환시키는 과정에서 온도차로 인한 유전체 표면의 결로현상이 단면 수 전극 구조에 비해 심하게 발생하였으며, 이로 인하여 양 전극 사이의 절연이 나빠짐으로 인한 전기적 손실이 증가한 데 그 원인이 있는 것으로 분석된다.
5[kg중/cm2]고정시키고 인가전압을 변화하였을 때의 특성으로서, 그림 5(a)에는 오존생성 가스의 농도와 그에 따른 발생량 변화를, 그림 5(b)에는 수율 변화를 나타내었다. 산소 가스의 공급 유량이 감소할수록 오존 농도는 상승하였고, 동일 유량에서 인가전압을 증가시킴에 따라 오 존농도는 지속적으로 증가하는 경향을 보이고 있다.
이와 같이 기존의 금속전극을 사용한 무성 방전식 오존 발생 장치에 비해 본 수 전극 오존 발생구조가 높은 농도를 발생한 이유는 농도 저하의 가장 큰 원인인 전극 및 유전체의 온도상승으로 인한 방전공간의 오존분해작용 현상을 물을 전극으로 사용함과 동시에 냉각수로 활용하고 또한 공냉식을 혼용함으로써 방전관 내의 온도 상승 억제 효과에 기인한 것으로 판단된다. 수율의 경우 유량 2[ℓ/min]에서 오존농도 4.65 [wt%] 에서 최대 113.9 [g/kWh]의 비교적 양호한 결과를 얻었으나, 제안 오존발생 장치의 구조가 전기적 손실이 많은 수 전극방식임을 감안하 면 기존의 금속전극을 이용하는 경우에 비해서는 수율 특성이 저하되는 것으로 판단된다.
전원주파수가 증가함에 따라 오존 농도 및 발생량이 증가한 것은 주파수 증가에 따라 방전 공간 내의 전자밀도가 증가한 때문으로 판단되며, 특정 주파수를 초과하면 오히려 고 전자밀도의 역작용으로 온도가 상승하여 오존분해가 활발히 일어나서 농도가 오히려 감소하는 것으로 알려져 있다. 수율의 경우 주파수 증가에 따라 증가하다가 특정 주파수에서 포화되는 경향이 나타났으며, 유량이 증가함에 따라 수율이 상승하는 결과를 보였다.
동일 유량에서 인가전압 증가에 따른 오존농도 증가는 인가전압 상승에 따라 방전관 내의 전력 밀도도 증가하므로 전자의 생성이 많아짐에 따른 산소 분자와의 충돌확률이 높아져서 여기 산소분자의 생성반웅이 활발하게 되는 데 기인한다. 수율의 경우는 방전 전압이 증가함에 따라 감소하며, 동일 방전 전압에서는 유량이 증가할수록 수율이 높게 나타났는데 이는 유량이 증가할수록 오존 발생량이 많기 때문에 수율도 증가한 것으로 사료된다.
25[wt%]를 기록함으로써 제안한 두 구조의 오존발생장 치 모두 설계목표성능인 7[wt%]을 초과함을 확인할 수 있었다. 수율특성의 경우 단면과 양면 수 냉각 구조에서 유량 l[//min], 전압 14.4lkV]에서 단면 수 냉각 구조의 수율이 약 20% 이상 향상된 것으로 나타났다. 전체적인 오존생성특 성은 단면 수 냉각 방식이 더 좋게 나타났는데, 이는 양면 수 냉각 방식의 실용화 적용 시, 전기적 절연 및 결로 현상 등 고려해야 할 사항이 많음을 나타낸 결과라 하겠다.
69[kHz]로 고정하고, 유량 1[ℓ/min]과 L5[//min]에서 오존 방생 장치 내의 압력변화에 대한 오존농도 변화를 관찰하였다. 실험 결과 제작한 오존발생장 치는 방전관 내의 압력이 0.9[kg 중/cm2]일 때 각 유량에서 최대 농도 및 발생량이 측정되었으며, 이후의 압력에서는 점차 농도가 감소하였는데 이러한 경향은 양면 수 냉각 오존 발생 장치에서도 동일하게 관찰되었다.
33[wt%]가 측정되었으며, 전체적으로 단면 수 냉각 구조에 비해 낮은 농도를 보였다. 오존 발생량은 단면 냉각구조의 경우 주파수 L845[kHz]에서 8.08[g/hr], 양면 냉각구조에서 7.25[wt%]를 기록함으로써 제안한 두 구조의 오존발생장 치 모두 설계목표성능인 7[wt%]을 초과함을 확인할 수 있었다. 수율특성의 경우 단면과 양면 수 냉각 구조에서 유량 l[//min], 전압 14.
이러한 실험 결과는 이전의 연구에서 저농도, 대용량 무 성방전식 오존발생장치 [12]가 갖는 특성과 같은 경향을 나타내고 있음을 확인함으로써 제안한 수 전극을 이용한 오 존 발생 장치 구조가 오존생성 방전관 구조로 유용하게 사용될 수 있음을 알 수 있었다. 제안한 수 전극 오존발생장치 의 설계목표인 산소 유량 일 때, 오존농도 7[wt%] 이상의 특성을 만족하는지 여부를 관찰한 결과, 오존 농도는 유량 0.
08[g/M]를 기록함으로써 설계목표성능을 초과함을 확인할 수 있었다. 이와 같이 기존의 금속전극을 사용한 무성 방전식 오존 발생 장치에 비해 본 수 전극 오존 발생구조가 높은 농도를 발생한 이유는 농도 저하의 가장 큰 원인인 전극 및 유전체의 온도상승으로 인한 방전공간의 오존분해작용 현상을 물을 전극으로 사용함과 동시에 냉각수로 활용하고 또한 공냉식을 혼용함으로써 방전관 내의 온도 상승 억제 효과에 기인한 것으로 판단된다. 수율의 경우 유량 2[ℓ/min]에서 오존농도 4.
4lkV]에서 단면 수 냉각 구조의 수율이 약 20% 이상 향상된 것으로 나타났다. 전체적인 오존생성특 성은 단면 수 냉각 방식이 더 좋게 나타났는데, 이는 양면 수 냉각 방식의 실용화 적용 시, 전기적 절연 및 결로 현상 등 고려해야 할 사항이 많음을 나타낸 결과라 하겠다.
이러한 실험 결과는 이전의 연구에서 저농도, 대용량 무 성방전식 오존발생장치 [12]가 갖는 특성과 같은 경향을 나타내고 있음을 확인함으로써 제안한 수 전극을 이용한 오 존 발생 장치 구조가 오존생성 방전관 구조로 유용하게 사용될 수 있음을 알 수 있었다. 제안한 수 전극 오존발생장치 의 설계목표인 산소 유량 일 때, 오존농도 7[wt%] 이상의 특성을 만족하는지 여부를 관찰한 결과, 오존 농도는 유량 0.5[//min] 이하, 주파수 1.6[kHz] 이상에서 10.28[wt%]를 나타내었으며 최대 농도는 유량 0.3[Z/min], 주파수 1.845kHz에서 lL0[wt%]를 나타내었다. 그러나, 발생량의 경우 유량이 너무 작기 때문에 설계 목표인 6[g/hr]에 미치지 못하였다.
그림 4는 본 실험을 위해 제작한 고전압 전원 장치를 이용하여 주파수 L74[kHz], 인가전압 15[kV]으로 수 전극 오존 발생 장치에 방전전력을 공급하였을 때의 출력전압과 전류파 형을 측정한 것이다. 제안한 오존발생장치의 경우, 이 중 유 전체구조로 되어 있고, 규격화된 석영 관의 사용으로 인한 설 계상의 제약으로 방전공간이 큼으로 인한 절연 내력 상승으로 방전 개시전압이 9[kV] 이상의 상당히 높은 전압에서 형성되었으며, 최대 15[kV]까지 인가전압을 상승하여도 파형의 왜곡 없이 양호한 전력이 전달되고 있음을 확인할 수 있었다.

후속연구

이는 실험 장치 구성에 있어 양면 수 냉각을 위해 양측의 냉각수를 순환시키는 과정에서 온도차로 인한 유전체 표면의 결로현상이 단면 수 전극 구조에 비해 심하게 발생하였으며, 이로 인하여 양 전극 사이의 절연이 나빠짐으로 인한 전기적 손실이 증가한 데 그 원인이 있는 것으로 분석된다. 따라서 본 수 전극 방식 오존발생장치를 반도체 세정공정에의 실용화 적용을 위해서는 양면 수 냉각을 위한 전기적 절연 문제와 결로로 인한 전기적 손실 그리고 제작의 용이함 등을 고려할 때, 단면 수 전극 방식이 더 유용할 것으로 판단된다.

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