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인쇄용 페이스트의 조성변화가 탄소나노튜브 캐소드의 전계방출 특성에 미치는 영향
Effects of Materials Composition in CNT Paste on Field Emission Properties in Carbon Nanotube Cathodes 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.13 no.10, 2003년, pp.663 - 667  

최우석 (부산대학교 공과대학 재료공학부) ,  신허영 (부산대학교 공과대학 재료공학부) ,  김동희 (부산대학교 공과대학 재료공학부) ,  안병건 (부산대학교 공과대학 재료공학부) ,  정원섭 (부산대학교 공과대학 재료공학부) ,  이동구 (금오공과대학교 신소재시스템공학부) ,  조영래 (부산대학교 공과대학 재료공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The effects of paste materials on field emission properties in a carbon nanotube(CNT) cathode were investigated for high-efficient field emission displays. The major components in CNT paste for screen printing were a metallic Ag-paste, a dielectric glass-frit and CNT ink. The emission current from t...

주제어

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문제 정의

  • 즉, 표면으로 돌출된 CNT의 상태를 변화시킴으로써 각각의 CNT에 미치는 전계강화(electric field enhancement) 효과를 변화시킬 수 있다고 하였다.9) 본 연구에서는 CNT paste를 사용한 후막공정인 스크린 인쇄법으로 캐소드를 제작할 때 CNT paste용 본딩재 (bonding materials)로 사용되는 재료들의 조성변화가 CNT 캐소드의 전계방출 특성에 미치는 영향에 대해서 연구하였다. 특히, CNT paste 에 사용되는 본딩재의 전기적 전도성 (electrical conductivity) 변화에 따른 CNT 캐소드의 전계방출강화 효과에 대해서 연구하였다.
  • 1. A schematic experimental procedure describing this work.
  • CNT를 에미터 재료로 사용해서 고효율 FED용 캐소드를 제작할 때 CNT paste를 구성하는 본딩재의 조성 변화와 표면처리 및 열처리 공정이 전계방출 특성에 미치는 영향에 대해 연구하여 다음과 같은 결론을 얻었다.
  • 또한, 동일한 전계에서 관찰된 전계방출 전류의 양역시 본딩재를 구성하는 전도성 Ag-paste의 양이 많을수록 작아진다. 이 결과는 CNT를 에미터 재료로 사용한 저전압 구동 FED의 개발 시 본딩재의 선택에 중요한 자료를 제시한다. 즉, 낮은 전압에서 높은 전류밀도를 갖는 CNT캐소드를 제조하기 위해서는 CNT paste용 본딩재에서 비전도성 재료의 분율이 높아야 한다는 것을 의미한다.
  • 9) 본 연구에서는 CNT paste를 사용한 후막공정인 스크린 인쇄법으로 캐소드를 제작할 때 CNT paste용 본딩재 (bonding materials)로 사용되는 재료들의 조성변화가 CNT 캐소드의 전계방출 특성에 미치는 영향에 대해서 연구하였다. 특히, CNT paste 에 사용되는 본딩재의 전기적 전도성 (electrical conductivity) 변화에 따른 CNT 캐소드의 전계방출강화 효과에 대해서 연구하였다. 또한 인쇄방법 (screen printing)으로 제조한 CNT 캐소드에 대해서 기계적 방법으로 표면 처리한 경우와 430℃에서 후열처리 하였을 때 전계방출 특성의 변화에 대하여 연구하였다.
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참고문헌 (9)

  1. K. Betsui, Technical Digest, 6th Vacuum Microelectronics Conf., 137 (1991) 

  2. R. Meyer, Technical Digest, Euro Display 90, 26 (1990) 

  3. W. B. Choi, C. S. Lee and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett., 75, 3129 (1999) 

  4. Q.H. Wang, M. Yan and R.P.H. Chang, Appl. Phys. Lett., 78, 1294 (2001) 

  5. J. M. Kim, W. B. Choi, N. S. Lee and J. E. Lee, Diamond Relat. Mater., 9, 1184 (2000) 

  6. C. S. Hwang, Y. H. Song, K. B. Kim, C. H. Chung, B. C. Kim and J. H. Lee, Technical Digest, Society for Information Display 03, 810 (2003) 

  7. S. J. Chung, J. Jang, S.H. Lim, C. H. Lee and B. Y. Moon, Society for Information Display 01, 92 (2001) 

  8. S. Kang, J. J. Kim, J. H. Moon and J. Jang, Society for Information Display 03, 802 (2003) 

  9. L. Nilsson, O. Greening, C. Emmenegger, H. Kind and K. Kern, Appl. Phys. Lett., 76, 2071 (2000) 

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