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양극산화를 이용한 알루미나 나노세공 멤브레인의 제조
Fabrication of Alumina Membrane Using Anodic Oxidation Process 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.13 no.9, 2003년, pp.593 - 597  

임완순 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실) ,  조경철 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실) ,  조유석 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실) ,  최규석 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실) ,  김도진 (충남대학교 공과대학 재료공학과 나노 재료 응용 실험실)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Anodic aluminum oxide (AAO) membrane was made of aluminum sheet (99.6%, 0.2 mm thickness). The regular array of hexagonal nano pores or channels were prepared by two step anodization process. A detail description of the AAO fabrication is presented. After the 1st anodization in oxalic acid (0.3 M) a...

주제어

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문제 정의

  • 본 실험에서는 세공이 위아래로 관통된 형태의 형틀 제작을 위해 여러가지 공정 변수들을 조사하였으며, 이러한 변수들로부터 양극산화시에 최적의 조건을 얻었다. 이러한 조건에서 Fig.
  • 본 실험에서는 알루미늄 판을 기판으로 이용하여 양극산화를 실시하였으며 규칙적으로 배열된 세공을 가진 알루미나 형틀을 제작하기 위해 2차에 걸쳐서 양극산화를실시하였다. 실험 공정은 다음과 같다.
  • 이러한 양극산화 전의 불균일한 알루미늄의 표면은 양극산화 후의 세공의 형태와 배열에 영향을 준다. 본 절에서는 알루미늄 판에 열처리와 전해연마의 두가지 전처리를 실시하여 세공의 형성에 미치는 영향을 조사하였다. 열처리는 온도가 500℃, 시간이 3시간그리고 Ar가스 분위기에서 수행하였다.
  • 특성에 영향을 준다. 본 절에서는 전압과 전해액의 온도에 따른 영향을 조사하였는데 양극산화시에 전압은 세공의 크기, 밀도, 두께 등에 영향을 줌은 이미 보고된바 있다.13)본 실험에서는 20~45V에서 양극산화 실시 후의 세공과 세공벽의 형태와 배열을 관찰하였다.
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참고문헌 (14)

  1. R. C. Furneaux, W. R. Rigby and A. P. Davidson, Nature, 337, 147 (1989) 

  2. H. Masuda and K. Fukuda, Science, 268, 199 (1995) 

  3. H. Masuda and M. Satoh, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L126 (1996) 

  4. Y. C. Sui, J. A. Gonzalez-Leon, A. Bermudez and J. M. Saniger, Carbon, 39, 1709 (2001) 

  5. T. Iwasaki, T. Motoi and T. Den, Appl. Phys. Lett., 75, 2044 (1999) 

  6. A. J. Yin, J. Li, W. Jian, A. J. Benett and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett., 79, 1039 (2001) 

  7. Y. Yang, H. Chen, Y. Mei, J. Chen, X. Wu and X. Bao, Solid State Communications, 123, 279 (2002) 

  8. V. P. Parkhutic and V. I. Shershulsky, Appl. Phys., 25, 1258 

  9. M. M. Lohrengel, Mater. Sci. Eng., R11, 243 (1993) 

  10. O. F. Li, L. Zhang and R. M. Metzger, Chem. Mater., 10, 2470 (1998) 

  11. J. W. Diggle, T. C. Downie and C. W. Goulding, Chem. Rev., 69, 365 (1969) 

  12. K. Shinizu, K. Kobayashi, P. Skeldon, G. E. Thompson and G. C. Wood, Corrosion Sci., 39, 701 (1997) 

  13. S. Shingubara, O. Okino, Y. Sayama, H. Sakaue and T. Takahagi, Solid State Electronics, 43, 1143 (1999) 

  14. O. Jessensky, F. Muller and U. Gosele, 

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