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n-type과 p-type 다공성 실리콘의 구조와 광학적 특성에 관한 연구
The structure and optical properties of n-type and p-type porous silicon 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.12 no.4, 2003년, pp.257 - 262  

박현아 (인하대학교 공과대학 재료공학부) ,  오재희 (인하대학교 공과대학 재료공학부) ,  박동화 (인하대학교 공과대학 화학공학과) ,  안화승 (인하대학교 공과대학 화학공학과) ,  태원필 (인하대학교 공과대학 재료공학부) ,  이종무 (인하대학교 공과대학 재료공학부)

초록
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n-type과 p-type 다공성 실리콘 (PS)의 구조에 따른 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. 먼저 화학적 에칭에 의하여 다공성 실리콘 시편을 준비했다. 이 시편의 미세구조의 특징을 주로 SEM, AFM, XRD 분석에 의하여 관찰하였으며 그들의 광학적 화학적 특성을 PL과 FTIR을 통해 측정하였다. n-type다공성 실리콘의 상온 PL파장은 p-type 다공성 실리콘이 남색 영역 (400-650 nm)임에 반해 500-650 nm로 이동함을 알 수 있었다. 또한 PS층 위에 ∼40 nm 두께의 반투명한 Cu박막을 rf 스퍼터링법으로 증착하여 PS내의 pore를 Cu로 충전한 시편의 I-V 특성과 EL 특성을 관찰했다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The structure and optical properties of n-type and p-type porous silicon (PS) prepared by the chemical etching in the light and the dark, respectively, are reported in this paper. Microstructural features of the samples are mainly investigated by SEM, AFM XRDGI techniques. Also, their optical proper...

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