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NTIS 바로가기센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.13 no.3, 2004년, pp.182 - 187
김호운 (경북대학교 전자공학과) , 신장규 (경북대학교 전자공학과) , 권대혁 (경일대학교 전자정보공학과) , 서화일 (한국기술교육대학교 정보기술공학부)
The fluorinated amorphous carbon thin films (a-C:F) were deposited by PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition). The precursors were
K. Endo and T. Tatsumi, 'Fluorinated amorphous carbon thin films grown by plasma enhanced chem-ical vapor deposition for low dielectric constant interlayer dielectrics', J. Appl. Phys., vol. 79, no. 2, pp.1370, 1995
L. G. Jacobsohn, D. F. Franceschini, M. E. H. Maia da Costa, and F. L. Freire, Jr., 'Structural and mechanical characterization of fluorinate amor-phous-carbon films deposited by plasma decompo-sition of CF4-CH4 gas mixtures', J. Vac. Sci. Technol. A vol. 18, no. 5, pp. 2230, 2000
N. Biswas, H. R. Harris, W. Wang, G. Celebi, H.Temkin, and S. Gangopadhyay, 'Electrical proper-ties of fluorinte amorphous carbon films', J. Appl. Phys., vol. 89, no. 8, pp. 4417, 2001
J. P. Chang, H. W. Krautter, W. Zhu, R. L. Opila, and C. S. Pai, 'Integration of fluorinate amorphous carbon as low-dielectric constant insulator: Effects of heating and deposition of tantalum nitride', J.Vac. Sci. Technol. A vol. 17, no. 5, pp. 2969, 1999
Y. Y. Jin, K. Kim, and G. S. Lee, 'Preparation of low dielectric constant silicon containing fluorocar-bon films by plasma enhanced chemical vapor dep-osition', J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 19, no. 1, pp.314, 2001
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