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[국내논문] 증기증착 공정 감시를 위한 반도체 레이저 흡수 분광학
Semiconductor laser-based absorption spectroscopy for monitoring physical vapor deposition process 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.13 no.2, 2004년, pp.59 - 64  

정의창 (한국원자력연구소 양자광학기술개발부) ,  송규석 (한국원자력연구소 양자광학기술개발) ,  차형기 (한국원자력연구소 양자광학기술개발부)

초록
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반도체 레이저를 광원으로 사용하는 원자흡수분광 방법으로 금속증기의 증착 공정을 감시하는 연구를 수행하였다. 전자빔 가열 방식을 이용하여 gadolinium (Gd) 금속을 대량으로 증발시켰다. 파장 영역이 770-794 nm (중심파장 780 nm)인 반도체 레이저빔과 388-396 nm 영역의 제 2 고조파 빔을 진공용기에 입사시켜 증발되는 금속증기의 원자흡수 스펙트럼을 실시간으로 기록하였다. 흡수 스펙트럼을 분석하여 증기의 원자밀도를 구했다. 전자빔 출력을 변화시키면서 측정한 원자밀도를 수정 결정 모니터 장치를 사용하여 측정한 증착률과 비교하였다. 산업적으로 많이 사용되는 Ti 등의 증착 공정 감시에 이 실험에서 구현한 레이저 분광장치를 적용할 수 있다는 것을 제시하였다.

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A study on the semiconductor laser-based atomic absorption spectroscopy was performed for monitoring physical vapor deposition process. Gadolinium metal was vaporized with a high evaporation rate by electron beam heating. Real-time atomic absorption spectra were measured by using tunable semiconduct...

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