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바이폴라 트랜지스터 등가회로 모델의 베이스-컬렉터 캐패시턴스 분리를 위한 개선된 추출 방법
An Improved Extraction Method for Splitting Base-Collector Capacitance in Bipolar Transistor Equivalent Circuit Model 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.41 no.7 = no.325, 2004년, pp.7 - 12  

이성현 (한국외국어대학교 전자정보공학부)

초록
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본 논문에서는 교류전류 집중현상이 고려된 바이폴라 등가모델에서 내부 베이스-컬렉터 캐패시턴스(C/sub μ/)와 외부 베이스-컬렉터 캐패시턴스(C/sub μx/)를 분리해서 추출하는 개선된 방법을 연구하였다. 먼저, 기존 추출방법들의 문제점들을 파악하고, 교류전류 집중 캐패시턴스가 포함된 차단모드 등가회로로부터 개선된 추출방정식들을 유도하였다. 이렇게 추출된 C/sub μx/와 C/sub μx/를 사용하여 모델 된 전류 및 전력이득 주파수 응답곡선들은 기존 추출방법으로 얻어진 곡선보다 측정 데이터와 훨씬 잘 일치되었으며, 이는 개선된 추출방법의 정확도를 증명한다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

An improved extraction method considering ac current crowding effect is investigated to determine intrinsic ( $C_{\mu}$) and extrinsic ( $C_{\mu}$) base-collector capacitances of bipolar junction transistors separately. The drawbacks of conventional methods are pointed out, and...

주제어

#bipolar transistors   #parameter extraction   #capacitance measurement   #modeling   #small-signal model  

참고문헌 (9)

  1. D. Berger, N. Gambetta, D. Cell, and C. Dufaza, 'Extraction of the base-collector capacitancesp-litting along the base resistance using HF measurements,' in Proc. IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meet., pp. 180-183, 2000 

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  2. S. Lee, 'A New Technique to Extract Intrinsic and Extrinsic Base-Collector Capacitances of Bipolar Transistors Using Y-Parameter Equations,' in Proc. IEEE Int. Conf. on Microelectronic Test Structures, pp.133-136, 2003 

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  3. B. Ardouin, T. Zimmer, H. Mnif, and P. Fouillat 'Direct method for bipolar base-emitter and base-collector capacitance splitting using high frequency measurements,' in Proc. IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meet., pp. 114-117, 2001 

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  5. H.-S. Rhee, S. Lee, and B.R. Kim, 'DC and AC current crowding effects model analysis in bipolar junction transistors using a new extraction method,' Solid-State Electronics, vol. 38, no.1, pp.31-35, 1995 

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  6. H.C. de Graaff, W.J. Kloosterman, J.A.M. Geelen, and M.C.A.M. Koolen, 'Experience with the new compact MEXTRAM model for bipolar transistors,' in Proc. IEEE Bipolar Circuits and Technology Meet., pp. 246-249, 1989 

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  7. A. Koldehoff, M. Schroter, and H.-M. Rein, 'A compact bipolar transistor model for very-high-frequency applications with special regard to narrow emitter stripes and high current densities,' Solid State Electron., vol. 36, pp. 1035-1048, July 1993 

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  8. S. Lee, B. R. Ryum, and S. W. Kang, 'A new parameter extraction technique for small-signal equivalent circuit of polysilicon emitter bipolar transistors,' IEEE Trans. Electron Device, vol. 41, pp. 233-238, Feb. 1994 

    상세보기 crossref

  9. S. Lee, H. K. Yu, C. S. Kim, J. G. Koo, and K. S. Nam, 'A novel approach to extracting small-signal model parameters of silicon MOSFETs,' IEEE Microwave and Guided Wave Lett., vol. 7, pp. 75-77, March 1997 

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