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NTIS 바로가기대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2), 2002 June 01, 2002년, pp.49 - 52
이성현 (한국외국어대학교 전자정보공학부 전자공학전공)
A new method is developed to extract model parameters of SiGe HBT equivalent circuit including the base impedance and base-collector junction capacitance. Using this method, all resistances and capacitances of SiGe HBT are independently determined from measured S-parameters using two-port parameter ...
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