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PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
PMOSFET Hot Carrier Lifetime Dominated by Hot Hole Injection and Enhanced PMOSFET Degradation than NMOSFET in Nano-Scale CMOSFET Technology 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.41 no.7 = no.325, 2004년, pp.21 - 29  

나준희 (충남대학교 정보통신공학부) ,  최서윤 (충남대학교 정보통신공학) ,  김용구 (충남대학교 전자공학) ,  이희덕 (충남대학교 전자공학과)

초록
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본 논문에서는 Dual oxide를 갖는 Nano-scale CMOSFET에서 각 소자의 Hot carrier 특성을 분석하여 두 가지 중요한 결과를 나타내었다. 하나는 NMOSFET Thin/Thick인 경우 CHC stress 보다는 DAHC stress에 의한 소자 열화가 지배적이고, Hot electron이 중요하게 영향을 미치고 있는 반면에, PMOSFET에서는 특히 Hot hole에 의한 영향이 주로 나타나고 있다는 것이다. 다른 하나는, Thick MOSFET인 경우 여전히 NMOSFET의 수명이 PMOSFET의 수명에 비해 작지만, Thin MOSFET에서는 오히려 PMOSFET의 수명이 NMOSFET보다 작다는 것이다. 이러한 분석결과는 Charge pumping current 측정을 통해 간접적으로 확인하였다. 따라서 Nano-scale CMOSFET에서의 NMOSFET보다는 PMOSFET에 대한 Hot camel lifetime 감소에 관심을 기울여야 하며, Hot hole에 대한 연구가 진행되어야 한다고 할 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Hot carrier degradation characteristics of Nano-scale CMOSFETs with dual gate oxide have been analyzed in depth. It is shown that, PMOSFET lifetime dominate the device lifetime than NMOSFET In Nano-scale CMOSFETs, that is, PMOSFET lifetime under CHC (Channel Hot Carrier) stress is much lower than NM...

주제어

#Hot Carrier   #Hole trapping   #CHC   #DAHC   #Charge pumping  

참고문헌 (10)

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