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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.17 no.9, 2004년, pp.916 - 923
한태현 (광운대학교 전자재료공학과) , 안호명 (광운대학교 전자재료공학과) , 서광열 (광운대학교 전자재료공학과)
In this paper, the strained Si
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Washio, K.. SiGe HBT and BiCMOS technologies for optical transmission and wireless communication systems. IEEE transactions on electron devices, vol.50, no.3, 656-668.
Cressler, J.D.. SiGe HBT technology: a new contender for Si-based RF and microwave circuit applications. IEEE transactions on microwave theory and techniques, vol.46, no.5, 572-589.
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