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Oxide층의 두께와 위치 조절을 통한 oxido-VCSEL의 단일모드 동작반경 확장
Extending the Single-Mode-Operation Radius of the Oxide-VCSEL by Controlling the Thickness and Position of the Oxide-Layer 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.41 no.9 = no.327, 2004년, pp.31 - 37  

김남길 (아주대학교 전자공학부) ,  김상배 (아주대학교 전자공학부)

초록

oxide 층의 위치와 두께 조절을 통하여 oxide-VCSEL이 단일모드로 동작하는 활성영역의 반경을 확장하는 방법을 Self-consistent effective-index 방법을 이용하여 제시하였다. 이렇게 활성영역이 넓어지면 고속, 고신뢰도, 고출력 동작에 유리한 단일모드 VCSEL을 만들 수 있게 된다. 고출력을 위하여 단일모드로 동작하는 활성영역을 확대하는 방법을 하면 다음과 같다. 첫째 oxide 층은 활성층에서 멀리 떨어진 곳에 위치시켜야 한다 둘째, oxide 층은 얇게 만들어야 한다. 셋째, oxide층을 node에 위치시켜야 한다. 그리고 고출력을 위하여 p-DBR 쌍의 수를 줄이는 것은 단일모드 동작조건을 변화시키지 않는다. 이 방법을 사용하면 단일모드로 동작하는 oxide-aperture 크기를 3m% 이상 키울 수 있다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have proposed a design methodology for large active-area single-mode VCSELS, which have higher reliability and output power, and are well-suited for high-speed operation. The key idea underlying the design methodology is to reduce the effective index difference between active and cladding regions...

주제어

참고문헌 (14)

  1. Yinon Satuby and Meir Orenstein, 'Limits of the Response of a Single-Mode Proton Implanted VCSEL,' IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 10. no. 6, pp. 762-762, Jun 1998 

  2. B. J. Thibeault et al, 'High-Speed Characteristics of Low-Optical Loss Oxide-Apertured Vertica l-Cavity Lasers,' IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 9. no. 1, pp. 11-13, Jan 1997 

  3. A. Haglund et al, 'A Comparative Study of the High-Speed Digital Modulation Performance of Single- and Multimode Oxide Confined VCSELs for Free Space Optical Interconnects,' SPIE Proc. VCSEL VI, Vol. 4649, pp. 272-280, 2002 

  4. Hans K. Bissessur et al, 'Modeling of Oxide-Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers,' IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol 3., no. 2, pp. 344-352, Apr 1999 

  5. C Jung et al, 'Highly efficient oxide-confined VCSEL arrays for parallel optical interconnects,' J. Opt. A : Pure Appl. Opt., vol 1., no. 2, pp. 272-275, Mar 1999 

  6. Melissa, et al., 'Effect of Control in Oxide-Confined Top Emitting Lasers,' Proc. of the 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference, pp. 83-84, Oct 1996 

  7. Bobby M. Hawkins et al, 'Reliability of Various Size Oxide Aperture VCSELs,' Proc. of the 15th IEEE International Semiconductor Laser Conference, pp. 540-550, Oct. 1996 

  8. Hekio J. Unold et al, 'Large-Area Single-Mode VCSELs and the Self-Aligned Surface Relief,' IEEE J. Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 7, no. 2, pp. 386-392, Mar/Apr. 2001 

  9. H. Martinsson et al, 'Transverse Mode Selection in Large-Area Oxide-Confined VCSELs using a Shallow Surface Relief,' IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 11, no. 12, pp. 1536-1538, Dec 1999 

  10. Nobuaki Ueki, et al, 'Single-Transverse-Mode 3.4-mW Emission of Oxide-Confined VCSELs,' IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 11, no. 12, pp. 1539-1541, Dec 1999 

  11. Wei-Choon Ng, et al, 'Resonant-Wavelength Control and Optical-Confinement Analysis for Grades SCH VCSELs using a Self-consistent Effective-Index Method,' IEEE J. Lightwave Technol., vol. 21, no. 2, pp. 555-560, Feb 2003 

  12. R. M. Hibbs-Brenner and P. P. Toulios, 'Integrated circuits for the millimeter through optical frequency range,' Proc. M.R.I. Symp. Submillimeter Waves, Polytechnic Press., pp. 497-516, 1970 

  13. Y. Kokubo and I. Ohta, 'Refractive index as a function of photon energy for AlGaAs between 1.2and 1.8eV,' J. of Applied Physics, Vol.81, pp. 2042-1043, 1997 

  14. M. Grabherr et al, 'Efficient Single-Mode Oxide-Confined GaAs VCSEL's Emitting in the 850-nm Wavelength regime,' IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 9, no. 10, pp. 1304-1306, Oct 1997 

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