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Chemical mechanical polishing (CMP) process was studied in terms of tribology in this paper. CMP performed by the down force and the relative motion of pad and wafer with slurry is typically tribological system composed of friction, wear and lubrication. The piezoelectric quartz sensor for friction ...

주제어

참고문헌 (12)

  1. 김상용, 서용진, 이우선, 이강현, 장의구, '슬러리와 패드 변화에 따른 텅스텐 플러그 CMP 공정의 최적화', 전기전자재료학회 논문지, 13권, 7호, p. 568, 2000 

  2. A. K. Sikder, F. Gigio, ]. Wood, A. Kumar, and M. Anthony, 'Optimization of tribology properties of silicon dioxide during the chemical mechanical planarization process', J. of Electronic materials, Vol. 30, No. 12, p. 1520, 2001 

  3. 김상용, 서용진, 이우선, 장의구, '실리콘 웨이퍼위에 증착된 실리케이트 산화막의 CMP 슬러리 오염 특성', 전기전자재료학회논문지, 13권, 2호, p. 131, 2000 

  4. M. Tomozawa, 'Oxide CMP mechanisms', Solid State Technology, p. 169, 1977 

  5. J. M. Steigerwarld, 'Chemical mechanical planarization of microelectronic materials', John Wiley & Sons, p. 129, 1997 

  6. B. Bhushan. 'Principles applications of tribology', John Wiley & Sons, p. 1. 1999 

  7. K. C. Ludema, 'Friction, wear, lubrication', CRC Press, p. 111. 1996 

  8. P. Powell, 'Engineering with polymers', Champman and Hall, p. 89, 1983 

  9. H. D. Seo, S. H. Lee, and H. D. Jeong, 'Characterization of the composite conditioning aided by ultrasonic vibration', Electrochemical Society Proceedings, Vol. 99-37, p. 445, 2000 

  10. G. W. Stachowiak, 'Engineering Tribology', Elsevier, p. 561, 1993 

  11. N. Chandrasekaran, 'Material removal mechanism of oxide and nitride CMP with ceria and silica-based slurries-analysis of slurry particles pre- and post-dielectric CMP', Materials Research Society Proceeding, Vol. 816, p. K9.2.1, 2004 

  12. D. Wang, ]. Lee, K. Holland, T. Bibby, S. Beaudoin, T. Cale, 'Von-rnises stress In chemical mechanical polishing process', J. of Electrochemical Society, Vol. 144(4), p. 1121, 1997 

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