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환경친화적인 초임계 이산화 탄소 공정을 이용한 포토레지스트의 합성
Synthesis of Photoresist Using Environmental-benign Supercritical $CO_2$ Processes 원문보기

폴리머 = Polymer (Korea), v.28 no.6, 2004년, pp.445 - 454  

허완수 (숭실대학교 환경·화학공학과) ,  이상원 (숭실대학교 환경·화학공학과) ,  박혜진 (숭실대학교 환경·화학공학과) ,  김장엽 (숭실대학교 환경·화학공학과) ,  홍유석 ((주)볼빅 연구개발센터) ,  유기풍 (서강대학교 화공생명공학과)

초록
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반도체의 최소 회로 선폭이 더욱 미세해지면서 포토레지스트 현상액으로 초임계 이산화 탄소를 응용하려는 연구가 진행되고 있다. 초임계 이산화 탄소는 환경친화적이며, 미세 화상 공정 단계에서 표면장력이 작아 패턴 붕괴를 막을 수 있고, 고분자에 대한 선택적 용해도가 큰 장점을 지니고 있다. 본 연구에서는 초임계 이산화 탄소 전용 포토레지스트의 기본 수지 합성을 위해 t-부틸 메타크릴레이트 (t-BMA)와 과불소화 데실 메타크릴레이트 (F17MA)를 단량체로 이용하여 다양한 몰비로 공중합하였고, 공중합체의 초임계 이산화 탄소에 대한 용해도를 분석하였다. 합성된 고분자와 광산 발생제를 섞어 제조한 포토레지스트는 노광을 통해 초임계 이산화 탄소에 대한 용해도가 감소되므로, 합성된 고분자의 초임계 이산화 탄소 전용 포토레지스트로서의 가능성을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The requirement for a much finer line width circuits on semiconductors needs new developers such as supercritical fluid to prevent the collapse of the photoresist micro-patterns. The copolymers contain t-butyl methacrylate having an acid-cleavable t-butyl group and supercritical fluid $CO_2$

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • '2 따라서 초임계 이산화 탄소를 이용한 건식 리소그래피 공정을 적용하기 위해서는 기존의 포토레지스트 시스템이 아닌 산 반응성 그룹을 지니면서 노광 전 후의 SCF CO2에 대한 용해도 차이가 크게 발생하는 새로운 고분자 합성이 이루어져야 한다. 따라서 본 연구에서는 193 nm용 화학 증폭형 포토레지스트 시스템을 바탕으로 하여 노광 전 후에 초임계 이산화탄소에 대한 용해도 차이가 큰 고분자를 합성하고자 하였다
  • 하지만 기존의 193 nm 용 포토레지스트를 포토리소그래피 공정에 적용할 경우 노광 후 건조 공정에서 필름이 벗겨지거나 미세회로 패턴이 붕괴되는 새로운 문제점이7,8 야기되기 시작했고, 100 nm 이하의 미세회로 패턴을 이루기 위해서는 새로운 시스템의 포토레지스트 개발이 필요하게 되었다. 따라서 이러한 문제점의 대안으로 1997년 코넬대학의 Ober 교수팀은 기존에 사용해 왔던 표면 장력이 큰 유기현상액 대신에 가격이 저렴하고 환경친화적이며 매우 낮은 표면장력을 지닌 액체 이산화 탄소를 포토리소그래피의 용매로서 사용하고자 하는 연구를 시작하였다.9 그 후 South Carolina 대학에서 Ye Jincano와 Michael A.
  • F17MA를 이용하여 공중합체를 합성하였다. 또한 합성된 기본 수지와 광산 발생제, 기타 미량의 첨가제를 적당한 비율로 섞어 포토레지스트 용액을 제조하였고, 제조된 포토레지스트 용액이 노광에 의해 그 물리적 특성, 즉 공중합체의 조성비에 따른 초임계 이산화 탄소에 대한 용해도 변화 정도에 대하여 고찰함으로써 차세대 건식 리소그래피에 사용될 전용 포토레지스트에 사용될 기본 수지에 관한 기초적 연구를 수행하였다
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참고문헌 (16)

  1. J. C. Jung, C. K. Bok, and K. H. Bail, Proc SPIE-It Soc. Opt. Eng., 11, 3333 (1998) 

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  3. M. D. Rahman, R. Dammel, M. Cook, and S. Ficner, SPIE, 3678, 1193 (1999) 

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  7. T. Tanaka, M. Morigami, and N. Atoda, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 6059 (1993) 

  8. T. Tanaka, M. Moriganmi, and H. Oizumi, J. Appl. Phys., 2, 33, 1803 (1994) 

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  16. A. H. Gabor, L. C. Pruette, and C. K. Ober, Chem. Mater., 8, 2282 (1996) 

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