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압저항형 압력센서를 이용한 초소형 하중센서의 개발
Development of miniature weight sensor using piezoresistive pressure sensor 원문보기

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.14 no.4, 2005년, pp.237 - 243  

김우정 (주식회사 맨텍) ,  조용수 (경북대학교 전자공학과) ,  강현재 (주식회사 맨텍) ,  최시영 (경북대학교 전자공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Strain gauge type load cell is used widely as weight sensor. However, it has problems such as noise, power consumption, high cost and big size. Semiconductor type piezoresistive pressure sensor is practically used in recent for low hysteresis, good linearity, small size, light weight and strong on v...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 이를 보완하기 위해 박판용접을 하고 oil을 채우는 방법의 봉입형 센서가 있으나 가격이 상승하는 문제가 있다. 본 논문에서는 wire 없이 flip-chip bonding으로 die를 연결하고 공정이 간단한 실리콘 gel과 같은 탄성매질을 주입해서 압력을 전달하여 내구성과 가격 측면 모두 만족할 만한 결과를 가져 올수 있는 하중 센서를 개발하였다. 하중을 측정하기 위해 소형 고감도인 압저항형 반도체 압력센서를 이용하였다.
  • 일정한 무게가 가해 졌을 때 1%FSO내의 안정된 특성을 얻을 수 있었고, 또한 무게에 대한 출력의 선형성은 최대 3%FSO의 특성을 보이고 있는데 이는 하중 감지 센서에 대한 특성보다도 패키지의 구조적인 문제로 인한 에러가 포함된 특성 때문인 것으로 생각된다. 본 연구를 통해 소형, 저가, 다기능화된 하중 감지 센서 제품의 가능성을 확인하였다
  • 하지만 이런 방식은 정밀도, 사용조건, 신호처리에서 많은 장점을 갖고 있지만 노이즈, 소모전력, 높은 가격, 제품의 크기의 제한 등의 문제점을 갖고 있어 보다 저렴하고 다양한 구조, 소형의 하중 센서를 필요로 하고 있다. 본 연구에서는 반도체 압력센서를 사용하여 탄성물질을 통해서 압력을 전달하는 방식의 초소형 저가의 하중 감지 센서를 개발하였다. 센서 구동 전압을 5V 공급하고 다이오드와 저항을 이용해 온도보상을 하여 0~2kg의 하중범위에서 10~80 mV의 안정된 출력값을 얻을 수 있었다.
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참고문헌 (9)

  1. 이창준, 강신원, 최시영, 'SOB 웨이퍼를 이용한 압저항형 압력센서의 제조', 센서학회지, 제4권, 제 1 호, pp. 29-34, 1995 

  2. 손승현, 김우정, 최시영, '가스누출감지용, 실리콘 압저항형 절대압 압력센서의 제조 및 온도보상', 센서학회지, 제7권, 제3호, pp. 171-178, 1998 

  3. 배혜진, 손승현, 최시영, '생체 in-vivo 측정용 살리콘 압저항형 압력센서의 제조 및 특성', 센서학회지, 제10권, 제3호, pp. 148-155, 2001 

  4. 김우정, 조용수, 황정훈, 최시영, '스테인레스 봉입형 반도체 압력센서의 제작 및 특성', 센서학회지, 제11권, 제3호, pp 138-144,2002 

  5. R. Jhonson and R. E. Higashi, 'A highly sensitivity silicon cjip microtransducer for air flow and differential pressure sensing application', Sensors and Actuators, vol. 11, pp. 63-72, 1987 

  6. K. M. Mahmoud, R. P. Van Kampen, M. J. Rutka, and R. F. Wolffen buttel, 'A silicon integrated smart pressure sensor', Transducer 93, pp. 217-220, 1993 

  7. S. C. Kim and K. D. Wise, 'Temperature sensitivity in silicon piezoresistivity pressure transdusers', IEEE Trans. on Electron Devices, vol. ED-30, no. 7, pp. 802-810, 1983 

  8. S. J. Lu, Z. Zheng, and Q. Y. Tong, 'A new silicon micromachining method using SOI/SDB technology', Sensors and Actuators, vol. 23, A21-A23, p. 961, 1990 

  9. E. Stemme and G. Stemme, 'A balanced dual-diaphragm resonant pressure sensor in silicon', IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 37, p. 648, 1990 

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