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NTIS 바로가기Journal of sensor science and technology = 센서학회지, v.28 no.3, 2019년, pp.177 - 181
윤대중 (부산대학교 기계공학부) , 안중환 (부산대학교 기계공학부) , 이길승 (노바센주식회사) , 김화영 (부산대학교 기계공학부)
Pressure sensors are used in various industries such as automobiles, airplanes, medical equipment, and coolers. Even if the ambient temperature changes, the measurement is reliable and stable. In this study a diaphragm-type pressure sensor was used to derive a temperature-compensated pressure estima...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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압력센서는 무엇인가? | 압력센서는 압력을 감지해서 전기신호로 변환시키는 목적으로 사용되는 감지기로서 가전제품을 비롯하여 자동차, 생체공학용 의료기, 환경 제어와 산업체의 대규모 시스템 제어 등에서 광범위하게 응용되고 있다. 최근에는 고온, 고압, 습도, 진동 등의 환경에서도 사용할 수 있는 소형, 경량, 저가격의 압력센서가 요구된다. | |
다이어프램 압력센서 온도 보상 방법 중 다이어프램에 형성한 브릿지 회로의 각각의 소자를 보상하는 방법의 문제점은? | 전자의 방법은 주변 온도에 따라서 저항값이 반비례하는 특성을 갖는 써머스터(thermistor)와 OP 엠프(operational amplifier) 회로를 이용한다. 이러한 방식은 신속한 온도보상은 가능하지만 압력센서를 이중 구조로 설계하기 때문에 생산공정이 복잡해지고 생산단가가 비싸진다 [9,11-16]. | |
다이어프램형 압력센서에는 무엇이 있는가? | 스트레인 게이지형 압력센서는 스테인리스강 다이어프램을 수압부로 사용하여 구조가 단순하며, 반도체식 압력센서에 비해 감도가 떨어지나 열악한 환경에서도 성능이 우수하므로 고압에서도 사용할 수 있다 [1-4]. 고압에 적합한 다이어프램형 압력센서는 다이어프램 위에 위치한 저항체가 응력에 따라 저항값이 바뀌게 됨을 이용하는 방식과 외부 압력에 의한 다이어프램의 휨정도가 달라짐을 이용하는 방식으로 구분된다. 전자의 방식은 저항체에 가해진 응력에 따라 변화되는 저항값을 측정하는 복잡한 신호처리부가 필요한 반면 다이어프램의 휨정도를 이용하는 방식은 외부에서 변위 센서를 이용하여 변위를 측정하여 압력을 산출하기 때문에 별도의 신호처리부가 필요 없다. |
I. Obieta and F. J. Gracia, "Sputtered silicon thin film for piezoresistive pressure micro-sensors", Sens. Actuators A, Vol. 42, No. 1-3, pp. 685-688, 1994
Y. Suzuki, H. Takenaka, T. Nasaka, and S. Ogawa, "CrOx Thin Film Pressure Sensor Prepared Directly on The Stainless Steel Diaphragm", Tech. Dig. 12th Sens. Symp. A3-5, pp. 151-154, 1994.
I. Ayerdi, E. Castano, A. Gracia, and F. J. Gracia, "Characterization of Tantalum Oxynitride Thin-Films as High-temperature Strain Gauges", Sens. Actuators A, Vol. 46, No. 1-3, pp. 218-221, 1995.
K. Rajanna and S. Mahan, "Thin-Film Pressure Transducer with Manganese Film as The Strain Gauge", Sens. Actuators A, Vol. 24, No. 1, pp. 35-39, 1990.
B. K. Ju, B. J. Ha, K. S. Kim, M. H. Song, S. H. Kim, C. J. Kim, K. H. Tchah, and M. H. Oh, "Formation of Silicon Diaphragm Using Silicon - Wafer Direct bonding / Electrochemical Etch - stopping and Its Application to Silicon pressure Sensor Fabrication", J. Sens. Sci. Technol., Vol. 3, No. 3, pp. 45-53, 1994.
M. Akbar and M. A. Shanblatt, "Temperature compensation of piezoresistive pressure sensors", Sens. Actuators A, Vol. 33, No. 3, pp. 155-162, 1992
S. J. Park, Y. D. Kim, J. H. Kang, and S. K. Park, "Comparison of Temperature Characteristics Between Single and Poly-crystalline Sillicon Pressure Sensor", Proc. 6th Conf. on Sens. Technol., Vol. 1995, No. 11, pp. 342-344, 1995.
J. M. Kim, Y. T. Lee, H. D. Seo, and S. G. Choi, "The Improvement in Offset and Temperature Drift on Silicon Piezoresistive Pressure Sensor", J. Sens. Sci. Technol., Vol. 5, No. 3, pp. 17-24, 1996.
S. J. Lee and J. H. Lee, "A Study on the Manufacturing Processes of a Pressure Sensor with Temperature", J. Korean Soc. Precis. Eng., Vol. 34, No. 10, pp. 701-706, 2017.
H. D, Park, K. N. Kim, and B. N. Lee, "Physical Sensors; A Design of Output Voltage Compensation Circuits for Bipolar Integrated Pressure Sensor", J. Sens. Sci. Technol., Vol. 7, No. 5, pp. 300-305, 1998.
Y. Liu, Z. Guo, Y. Zhang, K. S. Chiang, and X. Dong, "Simultaneous pressure and temperature measurement with polymer-coated fiber Bragg grating", Electron. Lett., Vol. 36, No. 6, pp.564-566, 2000.
C. Pramanick, T. Islam, and H. Saha, "Temperature compensation of piezoresistive micro-machined porous silicon pressure sensor by ANN", Microelectron. Reliab., Vol. 46, No. 2-4, pp. 343-351, 2006.
D. J. Yoon and J. H. Ahn, "Development of a Test Equipment for Diaphragm Deflection Using a PZT Actuator", J. Korean Soc. Precis. Eng., Vol. 34, No. 12, pp. 927-932, 2017.
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