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[국내논문] R.F. Magnetron Sputtering 법을 이용한 SnO2 박막 센서의 제조 및 알콜 감도 특성
Fabrication of the SnO2 thin-film gas sensors using an R.F. magnetron sputtering method and their alcohol gas-sensing characterization 원문보기

센서학회지 = Journal of the Korean Sensors Society, v.14 no.2, 2005년, pp.63 - 68  

박상현 (서울시립대학교 신소재공학과) ,  강주현 (서울시립대학교 신소재공학과) ,  유광수 (서울시립대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The nano-grained Pd or Pt-doped $SnO_{2}$ thin films were deposited on the alumina substrate at ambient temperature or $300^{\circ}C$ by using an R.F. magnetron sputtering system and then annealed at $650^{\cir}C$ for 1 hour or 4 hours in air. The crystallinity and m...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • 음주 측정과 같은 조건 하에서 측정하기 위하여 체온과 비슷한 36 ℃의 알콜 용액으로부터 증발된 가스를 센서에 주입하였다. Retrigerating Bath Circulator(Jeio Tech, RW-1025G)에서 수송 가스 N2 가스에 의해 증발된 알콜 가스는 기준 가스인 N가스와 희석하여 500ppm~2000ppm 농도로 조절하였으며, 가스의 감도측정은 기록계(Yokogawa, Mobilecorder MV100)를 이용하여 측정하였다. 이 때 회로전압(VC)은 D.
  • 박막의 X-선 회절분석과 미세구조를 관찰하였다. X-선 회절분석은 X-ray Diffractometer(Rich. Seifert & Co., XRD 3000 PTS)로 Cu Kα(λ= 1.542 Å)선과 Ni 필터를 사용하여 2θ 값이 20°와 80° 사이에서 조사되었다. 박막 표면의 미세구조는 FESEM(Hitachi, S-4300)과 AFM(Psia, M5)을 사용하여 관찰하였다.
  • 기본 물성분석으로 SnO2 박막의 X-선 회절분석과 미세구조를 관찰하였다. X-선 회절분석은 X-ray Diffractometer(Rich.
  • 542 Å)선과 Ni 필터를 사용하여 2θ 값이 20°와 80° 사이에서 조사되었다. 박막 표면의 미세구조는 FESEM(Hitachi, S-4300)과 AFM(Psia, M5)을 사용하여 관찰하였다.
  • % Pt를 첨가한 타겟(2"Φ, 1/4"t)이었으며, 박막 증착시 기판의 온도는 각각 실온(ambient temperature)과 300 ℃이었다. 박막의 두께는 3000 Å 정도이었고, 증착된 박막은 결정성 향상을 위하여 각각 공기 중 650 ℃에서 1시간과 4시간 동안 열처리를 하였다. 시편에는 센서의 온도 측정을 위해 K-type 열전대를 세라믹 본드를 이용하여 기판 뒷면에 부착하였다.
  • 본 실험에서는 나노 입자크기의 SnO2 박막을 R.F. magnetron sputtering법으로 제조하여, 촉매 물질, 박막 증착 시 기판 온도, 열처리 조건에 따른 알콜 감도의 영향을 고찰하였다. SnO2 박막의 X-선 회절 분석 결과,  600 ℃에서 열처리 후 모든 시편의 박막은 결정을 형성하였다.
  • 본 연구에서는 가스 감지용 반도체로 고성능 알콜 센서를 제조하기 위하여, Pd(0.5 wt.%)와 Pt(2 wt.%)이 소량 첨가된 SnO2 타겟을 사용하여 R.F. magnetron sputtering 법으로 나노 입자 크기의 박막가스센서를 제작하였다. 제조된 SnO2 박막의 결정성 및 미세구조 비교·분석과 알콜의 감도특성을 체계적으로 고찰하였다.
  • 이 때, 가스감도는 전압검출법[12]을 사용하여 측정하였다. 센서에 직렬로 부하저항(load resistance, RL)을 연결하여 그에 따른 센서에 걸리는 전압을 측정하였다. 센서의 저항값은 그림 2의 기본 측정회로에 따라 다음 식에 대입하여 계산하였다.
  • magnetron sputtering 법으로 나노 입자 크기의 박막가스센서를 제작하였다. 제조된 SnO2 박막의 결정성 및 미세구조 비교·분석과 알콜의 감도특성을 체계적으로 고찰하였다.

대상 데이터

  • 그림 1에서와 같이 SnO2 박막 가스센서를 제조하였다. 기판재료는 알루미나(5.
  • 박막 가스센서를 제조하였다. 기판재료는 알루미나(5.08 mm × 10.16 mm x 0.4 mm)를 사용하였으며 기판 앞·뒷면에 Pt로 각각 전극과 히터용 실크 스크린 프린팅법으로 후막을 형성한 다음 1250 ℃에서 30분간 열처리 하였다. 기판에 Pt 리드선을 Ag paste를 이용하여 연결한 후, 550 ℃에서 10분 동안 열처리하였다.
  • 박막의 두께는 3000 Å 정도이었고, 증착된 박막은 결정성 향상을 위하여 각각 공기 중 650 ℃에서 1시간과 4시간 동안 열처리를 하였다. 시편에는 센서의 온도 측정을 위해 K-type 열전대를 세라믹 본드를 이용하여 기판 뒷면에 부착하였다.
  • 위와 같이 준비된 기판 위에 가스 감지막으로 SnO2 박막을 R.F. Magnetron Sputter(Korea Vacumm, KVS-660)를 이용하여 증착하였다. 증착 시 사용한 SnO2는 0.

이론/모형

  • 전압을 인가하여 센서의 작동 온도를 300 ℃로 맞추었다. 이 때, 가스감도는 전압검출법[12]을 사용하여 측정하였다. 센서에 직렬로 부하저항(load resistance, RL)을 연결하여 그에 따른 센서에 걸리는 전압을 측정하였다.
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참고문헌 (14)

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  9. I. S. Bae, H. K. Lee, K. J. Hong, W. S. Lee, and J. S. Park, 'Properties of $Fe_2O_3$ -doped $SnO_2$ oxides for CO sensor', J. Kor. Sens. Soc, vol. 10, no. 4, pp. 222-231 

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  11. K. C. Park and J. G. Kim, 'Fabrication and characteristics of TO:F thin film deposited by RF magnetron sputtering (I)', J. Kor. Sens. Soc, vol. 3, no. 2, pp. 65-73, 1994 

  12. T. Seiyama, 'Gas detection by activated semiconductor sensor', Denki kagaku, vol. 40, no. 3, pp. 244-249, 1972 

  13. A. Cabot, J. Arbiol, J. R. Morante, U. Weimar, N. Barsan, and W. Gopel, 'Analysis of noble metal catalytic additives introduced by impregnation of as obtained $SnO_2$ sol-gel nanocrystals for gas sensors', Sensors and Actuators B, vol. 70, pp. 87-100, 2000 

  14. K. S. Yoo and H. J. Jung, 'Gas-sensing characteristics of semiconducting materials based on $In_2O_3$ depending on composition changes', Sensors and Actuators, vol. 12, pp. 285-290, 1987 

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