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NTIS 바로가기KIEE international transactions on electrophysics and applications, v.5C no.2, 2005년, pp.58 - 62
Moon Jin-Woo (Process Development Group, Product Technology Team) , Choi Yearn-Ik (School of Electrical and Computer Engineering, College of Information Technology, Ajou University) , Chung Sang-Koo (Division of Computer, Electronic and Communication Engineering, Yangbian University of Science and Technology)
A trench MOS barrier Schottky (TMBS) rectifier is proposed which utilizes the upper half of the trench sidewall as an active area. The proposed structure improves the forward voltage drop by 20
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M. Mehrotra and B. J. Baliga, 'Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier: a Schottky rectifier with higher than parallel plane breakdown voltage', Solid- State Electronics, vol. 38, no. 4, pp.801-806, 1995
T. Sakai, S. Matsumoto and T. Yachi, 'Experimental investigation of dependence of electrical characteristics on device parameters in trench MOS barrier Schottky diodes', in proceedings of the 8th International Symposium of Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD), pp. 293-296, Kyoto, Japan, 1998
B. J. Lee, S. H. Kim, C. K. Kim, H. k. Shin and Y. S. Kwon, 'Interaction of a Pyridyl-Terminated Carbosiloxane Dendrimer with Metal Ions at the Air-Water Interface,' KIEE Int. Trans. On EA, Vol.3-C, No.6, pp. 216-219, 2003
Sang-Koo Chung and Seung-Youp Han, 'Analytical Model for the Surface Field Distribution of SOI RESURF Devices', IEEE Trans. Electron Devices, vol.45, no. 6, pp. 1374-1376, 1998
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