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논문 상세정보

Abstract

A trench MOS barrier Schottky (TMBS) rectifier is proposed which utilizes the upper half of the trench sidewall as an active area. The proposed structure improves the forward voltage drop by 20$\%$ in comparison with the conventional one without degradation in breakdown voltage. An analytical model for the field distribution is given and compared with two-dimensional numerical simulations.

저자의 다른 논문

참고문헌 (4)

  1. M. Mehrotra and B. J. Baliga, 'Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier: a Schottky rectifier with higher than parallel plane breakdown voltage', Solid- State Electronics, vol. 38, no. 4, pp.801-806, 1995 
  2. Sang-Koo Chung and Seung-Youp Han, 'Analytical Model for the Surface Field Distribution of SOI RESURF Devices', IEEE Trans. Electron Devices, vol.45, no. 6, pp. 1374-1376, 1998 
  3. B. J. Lee, S. H. Kim, C. K. Kim, H. k. Shin and Y. S. Kwon, 'Interaction of a Pyridyl-Terminated Carbosiloxane Dendrimer with Metal Ions at the Air-Water Interface,' KIEE Int. Trans. On EA, Vol.3-C, No.6, pp. 216-219, 2003 
  4. T. Sakai, S. Matsumoto and T. Yachi, 'Experimental investigation of dependence of electrical characteristics on device parameters in trench MOS barrier Schottky diodes', in proceedings of the 8th International Symposium of Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD), pp. 293-296, Kyoto, Japan, 1998 

이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. Kim, Byung-Soo ; Kim, Kwang-Soo 2013. "A 4H-SiC Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier using the trapezoid mesa and the upper half of sidewall" 전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, 17(4): 428~433 

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