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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.18 no.7, 2005년, pp.594 - 599
이정민 (한국항공대하교 항공전자공학과) , 서현상 (한국항공대하교 항공전자공학과) , 홍신남 (한국항공대하교 항공전자공학과)
In this paper, we report the properties of Mo metal employed as PMOS gate electrode. Mo on 주제어
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