최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기반도체및디스플레이장비학회지 = Journal of the semiconductor & display equipment technology, v.4 no.2 = no.11, 2005년, pp.39 - 43
도관우 (경북대학교 전자공학과) , 김경민 (경북대학교 전자공학과) , 양충모 (경북대학교 전자공학과) , 박성근 (경북대학교 전자공학과) , 나경일 (경북대학교 전자공학과) , 이정희 (경북대학교 전자공학과) , 이종현 (경북대학교 전자공학과)
In the study, in order to deposit TaN thin film for diffusion barrier and bottom electrode we made the Plasma Assisted ALD equipment and confirmed the electrical characteristics of TaN thin films grown PAALD method. Plasma Assisted ALD equipment depositing TaN thin film using PEMAT(pentakis(ethylmet...
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.