$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

반도체 박막 성장법과 장비기술 원문보기

電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.40 no.12 = no.355, 2013년, pp.31 - 45  

이병철 (오름반도체 주식회사) ,  성홍석 (부천대학교)

초록이 없습니다.

질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
AP CVD의 가장 큰 장점은? 실리콘 기반 반도체에서 AP CVD는 상압(대기압) 하에서 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate :(C2H5O)4Si)와 오존(O3)을 반응 물질로 산화막(SiO2)를 형성시키는 공정으로, 오존(O3)을 사용함으로써 저온에서도 박막 증착이 가능하다. AP CVD의 가장 큰 장점은 대기압에서 반응이 일어나도록 설계되었기 때문에 반응이 단순하며, 또한 압력이 높은 상태에서 가스의 평균자유이동 경로 (mean free path)가 짧기 때문에 공극 채움(Gap fill) 능력이 우수하다.
AP CVD 공정의 원리는? 본 공정의 원리는 상압인(760 Torr) 챔버를 일정 압력으로 분사되는 N2 막에 의해 외부와 차단된 상태에서 그 밑을 켄버이어 벨트(Conveyor belt)를 따라 웨이퍼가 지나가면서 주입구(Injector)로 주입되는 가스가열에(500~550℃) 의한 반응으로 증착되는 방식이다.
CVD란 무엇인가? CVD는 Chemical Vapor Deposition의 약어로, 화학물질을 기화시켜 화학반응에 의한 증착 막을 구현하는 반도체 제조 공정 중 하나로, 기체 상태를 취급하는 관계로 온도와 압력, 부피가 가장 큰 공정 제어 요소이며, 박막(Film)이 형성되는 과정에는 동종(Homogeneous) 반응과 이종 (Heterogeneous) 반응이 있는데 동종(Homogeneous) 반응의 경우는 기체상(Gas Phase)에서 일어나며 이때 형성된 박막(Film)은 질적인 측면에서 나쁜 특성과 불량입자(particle)가 많은 반면에 이종(Heterogeneous) 반응은 웨이퍼 표면에서 일어나는 반응으로 고순도 박막(High quality film)을 얻을 수 있기 때문에 이종(Heterogeneous) 반응 위주로의 공정 조건을 유도해야 한다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로