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UV 차단 금속막을 이용한 잔류층이 없는 UV 나노 임프린트 패턴 형성
UV-nanoimprint Patterning Without Residual Layers Using UV-blocking Metal Layer 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.12 no.4 = no.37, 2005년, pp.275 - 280  

문강훈 (한양대학교 신소재공학부) ,  신수범 (하이닉스 반도체) ,  박인성 (한양대학교 디스플레이공학연구소) ,  이헌 (고려대학교 재료공학부) ,  차한선 ,  안진호 (한양대학교 신소재공학부)

초록
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나노 임프린트 (NIL)와 포토 리소그라피를 접목시킨 combined nanoimprint and photolithography (CNP) 기술을 이용하여 나노 미세 패턴을 형성하였다. 일반적인 UV-NIL 스탬프의 양각 패턴 위에 Cr 금속막을 입힌 hybrid mask mold (HMM)을 E-beam writing과 plasma etching으로 제작하였다. HMM 전면에는 친수성 물질인 $SiO_2$를 코팅하여 점착방지막 역할의 self-assembled monolayer(SAM) 형성을 용이하게 함으로써 HMM과 transfer layer의 분리를 용이하게 하여 패턴 손상을 억제하였다. 또한, transfer layer에는 일반적인 monomer resin 대신에 건식 에칭에 대한 저항력이 높은 negative PR을 사용하였다. Photo-mask 역할을 하는 HMM의 Cr 금속막이 UV를 차단하여 잔류하게 되는 PR의 비경화층(unexpected residual layer)은 간단한 현상 공정으로 제거하여 PR 잔류층이 없는 나노 미세 패턴을 transfer layer에 형성하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We propose a new approach to greatly simplify the fabrication of conventional nanoimprint lithography (NIL) by combined nanoimprint and photolithography (CNP). We introduce a hybrid mask mold (HMM) made from UV transparent material with a UV-blocking Cr metal layer placed on top of the mold protrusi...

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