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임프린트 공정을 이용한 연성동박적층필름(FCCL)의 마이크로 패턴 제작
Design and Fabrication of Micro Patterns on Flexible Copper Clad Laminate (FCCL) Using Imprinting Process 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.12, 2015년, pp.771 - 775  

민철홍 ((주)시노펙스 기술연구소) ,  김태선 (가톨릭대학교 정보통신전자공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we designed and fabricated low cost imprinting process for micro patterning on FCCL (flexible copper clad laminate). Compared to conventional imprinting process, developed fabrication method processing imprint and UV photolithography step simultaneously and it does not require resin e...

주제어

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문제 정의

  • 본 논문에서는 고가의 포토리소그라피 장비와 LDI(laser direct imaging) 장비의 투자 없이도 저렴한 비용으로 FCCL의 패턴 제작이 가능한 대면적 임프린트 공정을 제안한다. 제안한 임프린트 공정은 기존 임프린트 방식과 달리 몰드와 기재 사이에 레진을 도포하고 압력이 가해진 롤러를 이용하여 레진을 도포하기 때문에 기포 발생에 의한 패턴 손상 문제를 해결하였으며, 임프린트 방식과 UV 포토리소그라피 공정을 동시에 진행함으로써 별도의 레진 식각공정 없이도 패턴 제작이 가능하다는 장점이 있다.
  • 본 논문에서는 대면적 임프린트 공정을 연성회로기판(FPCB) 제작을 위한 연성동박적층필름(FCCL)의 패턴구현에 적용하여 포토리소그라피 장비와 LDI (laser direct imaging) 장비와 같이 고가의 장비를 투자하지 않고도 저렴한 비용으로 FCCL에 패턴을 구현할 수 있는 임프린트 공정을 제안한다.
  • 본 논문의 구성은 본문에서 FCCL 패턴 제작을 위한 단위 공정과 FCCL 패턴 제작에 있어서 문제점 및 해결방법에 대해 설명하였고, 결론에서 본 논문에서 제안한 임프린트 공정의 장점에 대해 기술하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
임프린트 기술이란? 임프린트 기술은 도장과 같이 패턴을 전사시키는 기술로 나노 스케일의 패턴 구현이 가능하여 나노임프린트(nano-imprint)라고 부르고 있다. 이러한 임프린트기술은 공정이 단순하고 제작 비용이 저렴하여 기존 반도체나 디스플레이 분야의 포토리소그래피(photolithography)공정을 대체할 수 있는 기술로 많은 주목을 받고 있다[1,2].
임프린트기술의 장점은? 임프린트 기술은 도장과 같이 패턴을 전사시키는 기술로 나노 스케일의 패턴 구현이 가능하여 나노임프린트(nano-imprint)라고 부르고 있다. 이러한 임프린트기술은 공정이 단순하고 제작 비용이 저렴하여 기존 반도체나 디스플레이 분야의 포토리소그래피(photolithography)공정을 대체할 수 있는 기술로 많은 주목을 받고 있다[1,2].
임프린트 공정을 레진의 경화타입에 따라 나눈 두 가지 방식은? 임프린트 공정은 패턴이 형성된 몰드(mold)와 패턴을 형성시킬 기재 사이에 레진(resin)을 도포하여 몰드의 패턴을 기재에 전사시키는 기술로 레진의 경화타입에 따라 크게 열경화 방법과 UV 경화식 방법으로 구분할 수 있다 [3,4]. 열경화 방식의 경우 몰드와 기재 사이에 레진을 도포하고 압력을 가한 상태에서 열을 가해 레진을 경화시켜 패턴을 형성시키는 방식이고, UV 경화방식은 몰드와 기재 사이에 레진을 도포하고 열 대신 UV를 이용하여 레진을 경화시키는 방식이다. 일반적으로 UV 경화방식은 유리와 같은 투명한 재질의 몰드를 제작해야 하기 때문에 몰드 제작을 위한 비용과 시간이 많이 소모된다는 단점이 있지만 투명한몰드를 사용하기 때문에 정렬(align)이 가능하고 낮은 온도에서도 패턴 구현이 용이하여 레진과 기재 사이의 열팽창 계수 차이로 인해 발생되는 패턴의 변형이 없어 미세패턴을 제작할 때 용이한 방식이다 [5].
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참고문헌 (9)

  1. A. Cherala, P. Schumaker, B. Mokaberi, K. Selinidis, B. J. Choi, M. J. Meissl, N. N. Khusnatdinov, D. LaBrake, and S. Sreenivasan, IEEE/ASME Trans. Mech., 20, 122 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TMECH.2013.2297679] 

  2. Takei, Satoshi, and M. Hanabata, Appl. Phys. Lett., 107, 14 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4932647] 

  3. S. Y. Chou, P. R. Krauss, and P. J. Renstrom, Appl. Phys, Lett., 67, 3114 (1995). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.114851] 

  4. J. Haisma, M. Verheijen, and K. Heuvel, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 4124 (1996). [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.588604] 

  5. S. Thoms, D. S. Macintyre, D. Moran, and I. Thayne, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 3271 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.1821504] 

  6. Y. K. Kim, J. H. Kim, B. S. You, J. S. Jang, K. H. Kwon, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 24, 10 (2011). 

  7. M. Austin, H. Ge, W. Wu, M. Li, and Z. Yu, Appl. phys. Lett., 84, 5229 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1766071] 

  8. D. Morihara, H. Hiroshima, and Y. Hirai, Microelectron. Eng., 86, 684 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2008.12.005] 

  9. S. E. Lee, H. G. Lim, S. S. Lee, D. G. Choi, D. Lee, and S. U. Hong, Macromol. Res., 21, 916 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s13233-013-1107-5] 

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