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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.18 no.4, 2005년, pp.297 - 302
최권우 (조선대학교 전기공학과) , 김남훈 (조선대학교 에너지자원신기술연구소) , 서용진 (대불대학교 전기전자공학과) , 이우선 (조선대학교 전기공학과)
Chemical mechanical polishing(CMP) performances can be optimized by several process parameters such as equipment and consumables (pad, backing film and slurry). Pad properties are important in determining removal rate and planarization ability of a CMP process. It is investigated the performance of ...
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S. P. Murarka, 'Metallization Theory and Practice for VLSI and ULSI', Butterworth Heinimann, p. 100, 1993
W.-S. Lee, S.-Y. Kim, Y.-J Seo, and J.-K. Lee, 'An optimization of tungsten plug chemical mechanical polishing(CMP) using different consumables', Journal of Materials Science : Materials in Electronics, Vol. 12, No.1, p. 63, 2001
Y. - J. Seo and S. - Y. Kim, 'Effects of various facility factors on chemical mechanical polishing process defects', Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 41, No. 11A, p. 6310, 2002
Y.-J. Seo, W.-S. Lee, S.-Y. Kim, J.-S. Park, and E.-G. Chang, 'Optimization of post-CMP cleaning process for elimination of CMP slurry induced metallic contaminations', Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 12, No.7, p. 411, 2001
김상용, 서용진, 김태형, 이우선, 김창일, 장의구, 'Chemical mechanical polishing(CMP) 공정을 이용한 multilevel metal 구조의 광역평탄화에 관한 연구', 전기전자재료학회논문지, 11권, 12호, p. 1084, 1998
김상용, 김남훈, 김인표, 장의구, '금속 CMP 공정시 경질 다공성 패드의 적용', 전기전자재료학회논문지, 16권, 5호, p. 385, 2003
W. Li, D. W. Shin, M. Tomojawa, and S. P. Murarka, 'The effect of the polishing pad treatments on the chemical mechanical polishing of $SiO_2$ , films', Thin Solid Film, Vol. 270, p. 601, 1995
John McGrath and Chris Davis, 'Polishing pad surface characterisation in chemical mechanical planarisation', Journal of Materials Processing Technology, Vol. 153-154, p. 666, 2004
이우선, 최권우, 김남훈, 박진성, 서용진, '가스센서 적용을 위한 $SnO_2$ 박막의 CMP 특성 연구' , 한국전기전자재료학회논문지, 17권, 12 호, p. 1296, 2004
이우선, 고필주, 김남훈, 서용진, '산화제 첨가에 따른 $WO_3$ 박막의 CMP 평탄화 특성', 전기전자재료학회논문지, 18권1호, p. 12, 2005
이경진, 김상용, 서용진, '반경험적인 실험설계 기법을 이용한 CMP 공정 변수의 최적화', 전기전자재료학회논문지, 15권,11호, p. 939, 2002
J. M. Steigerwald, S. P. Murarka, and R. J. Gutmann, 'Chemical Mechanical Planarization of Microelectronic Materials', John Wiley & Sons, p. 87, 1997
H. Lu, B. Fookes, Y. Obeng, S. Machinski, and K. A. Richardson, 'Quantitative analysis of physical and chemical changes in CMP polyurethane pad surfaces', Materials Characterization, Vol. 49, Iss. 1, p. 35, 2002
H. Lu, Y. Obeng, and K. A. Richardson, 'Applicability of dynamic mechanical analysis for CMP polyurethane pad studies', Materials Characterization, Vol. 49, Iss. 2, p. 177, 2002
Farid Malik and Masood Hasan, 'Manufacturability of the CMP process', Thin Solid Film, Vol. 270, p. 612, 1995
M. R. Oliver, 'Chemical-mechanical Planarization of Semiconductor Materials', Springer-verlag, p. 197, 2004
J. M. Steigerwald, S. P. Murarka, and R. J. Gutmann, 'Chemical Mechanical Planarization of Microelectronic Materials', John Wiley & Sons, p. 45, 1997
G. S. Grover, H. Liang, S. Ganeshkumar, and W. Fortino, 'Effect of slurry viscosity modification on oxide and tungsten CMP' , Wear, Vol. 214, Iss. 1, p. 10, 1998
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