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산화막 CMP에서 발생하는 온도가 연마특성에 미치는 영향
Effect of Temperature on Polishing Properties in Oxide CMP 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.21 no.2, 2008년, pp.93 - 98  

김영진 (부산대학교 정밀가공시스템) ,  박범영 (부산대학교 기계공학부) ,  김형재 (한국생산기술연구원 초정밀성형가공팀) ,  정해도 (부산대학교 기계공학부)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated the effect of process temperature on removal rate and non-uniformity based on single head kinematics in oxide CMP. Generally, it has been known that the temperature profile directly transfers to the non~uniformity of removal rate on the wafer, which has similar tendency with the slid...

주제어

#Oxide CMP   #Single head kinematics   #Temperature   #Removal rate   #Non-uniformity  

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 생산에 소용되는 시간비용, 소모재(consumable)비용 제품결함에 관련된 제 비용들을 고려했을 때 반도체 제조기술 뿐만 아니라 모니터링 시스템도 매우 큰 의미를 가지게 된다. 본 연구에서는 산화막 CMP(oxide CMP)에서 온도인 자가 연마율 romoval rate) 과 연마 불균일도 (non-uniformity of removal rate)와 같은 연마 특성과 어떠한 관계를 가지지는지 알아보고자 한다.
  • 산화막 CMP에서 모니터링 인자로서 온도의 영향성을 연구하였다. 온도는 마찰에너지의 상승으로 기인하고 동일 압력과 실험조건에서는 미끄럼 거리에 비례하게 된다.

가설 설정

  • 반면 그림 6(b) 헤드 속도가 고정일 때는 큰 변화 없이 5 % 정도로 일정하다. 결과적으로 회전비가 증가하면서 연마 불균일 도가 향상된다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (7)

  1. 김형재, 'CMP 공정에서 발생하는 연마온도 분 포에 관한 연구', 한국정밀공학회지, 20권, 3호, p. 42, 2003 

  2. H. D. Jeong, 'Development of CMP process for global planarization of ULSI', J. of the Korean Society of Mechanical Engineers, Vol. 36, No. 3, p. 220, 1996 

  3. J. Sorooshian, 'Tribological, thermal and kinetic characterization of dielectric and metal chemical mechanical planarization process', University of Arizona, p. 71, 2005 

  4. M. R. Oliver, 'Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials', Springer, p. 158, 2003 

  5. 김형재, '회전형 CMP장비의 속도 및 마찰력 분포 해석', 한국정밀공학회지, 20권, 5호, p. 41, 2003 

  6. 권대희, 'CMP특성과 온도의 상호관계에 관한 연구', 한국정밀공학회지, 19권, 10호, p. 161, 2002 

  7. 박범영, 'CMP 결과에 영향을 미치는 마찰 특 성에 관한 연구', 전기전자재료학회논문지, 17 권, 10호, p. 1041, 2004 

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