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EPS(elementwise patterned stamp)활용 UV나노임프린트 공정에서의 웨이퍼 미소변형의 영향
The effect of wafer deformation on UV-nanoimprint lithography using an EPS(elementwise patterned stamp) 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.14 no.1, 2005년, pp.35 - 39  

심영석 (한국기계연구원 지능형 정밀기계연구부) ,  정준호 (한국기계연구원 지능형 정밀기계연구부) ,  손현기 (한국기계연구원 첨단산업기술 연구부) ,  이응숙 (한국기계연구원 지능형 정밀기계연구부) ,  방영매 (목포대학교 기계공학과) ,  이상찬 (목포대학교 기계공학과)

초록
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본 실험에서는 단위요소 사이에 채널을 갖는 Elementwise Patterned Stamp (이하 EPS)를 이용하여 싱글스탭 (single step)으로 4인치 웨이퍼임프린트 하는 공정을 수행하였다. 단위요소간의 간격이 3m인 EPS를 이용한 임프린트에서 50 - 100nm급의 패턴을 성공적으로 형성하였다. 그러나 임프린트 과정 중 EPS의 채널 부분에서 웨이퍼의 미소변형이 발생하여 단위요소의 미충전과 불균일한 잔여층이 형성되는 문제들이 발생하였다. 본 논문에서는 이러한 웨이퍼의 미소변형이 단위요소 충전과 패턴형성에 미치는 영향을 확인해 보기 위해 웨이퍼의 두께를 100 - 500㎛로 변화시켜가며 임프린트 실험을 수행하였고, 유한요소법(Finite Element Method, FEM)을 이용한 수치모사를 통하여 실험결과를 확인하였다. 또한 웨이퍼의 미소변형이 발생하는 또 다른 요인인 EPS의 채널 폭을 3mm, 2mm, 1mm로 변화시키며 수행한 수치모사를 통하여 안정된 임프린트 조건을 제시하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In the UV-NIL process using an elementwise patterned stamp (EPS), which includes channels formed to separate each element with patterns, low-viscosity resin droplets with a nano-liter volume are dispensed on all elements of the EPS. Following pressing of the EPS, the EPS is illuminated with UV-light...

주제어

참고문헌 (11)

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  10. S. Y. Sim, J. H. Jeong, H. K. Shon, Y .J. Shin, E. S. Lee, S. W. Choi, and J. H. Kim, J. K. Vac. Sci. 13, 39 (2004) 

  11. S. Y. Sim, J. H. Jeong, H. K. Shon, Y .J. Shin, E. S. Lee, S. W. Choi, and J. H. Kim, J. K. Vac. Sci. 13, 39 (2004) 

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