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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.16 no.9, 2006년, pp.564 - 570
김상엽 (서울시립대학교 신소재공학과) , 송오성 (서울시립대학교 신소재공학과)
Silicides have been required to be below 40 nm-thick and to have low contact resistance without agglomeration at high silicidation temperature. We fabricated composite silicide layers on the wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of
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