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한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.16 no.12, 2006년, pp.731 - 738
차남구 (한양대학교 재료화학공학부) , 강영재 (한양대학교 재료화학공학부) , 김인권 (한양대학교 재료화학공학부) , 김규채 (한양대학교 재료화학공학부) , 박진구 (한양대학교 재료화학공학부)
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It is seriously considered using Al CMP (chemical mechanical planarization) process for the next generation 45 nm Al wiring process. Al CMP is known that it has a possibility of reducing process time and steps comparing with conventional RIE (reactive ion etching) method. Also, it is more cost effec...
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