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극자외선 리소그래피용 화학증폭형 레지스트
Chemically Amplified Resist for Extreme UV Lithography 원문보기

공업화학 = Applied chemistry for engineering, v.17 no.2, 2006년, pp.158 - 162  

최재학 (한국원자력연구소 방사선이용연구부) ,  노영창 (한국원자력연구소 방사선이용연구부) ,  홍성권 (충남대학교 공과대학 고분자공학과)

초록
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새로운 극자외선 리소그래피용 화학증폭형 레지스트의 매트릭스 수지로 poly[4-hydroxystyrene-co-2-(4-methoxybutyl)-2-adamantyl methacrylate]를 합성하고 평가하였다. 이 중합체로 제조된 레지스트로 KrF 엑시머 레이저 노광장비를 사용하여 선폭 120 nm (피치 240 nm)를 구현할 수 있었다. 극자외선 리소그래피 장비를 이용하여 평가한 결과 선폭 50 nm (피치 180 nm)의 포지형 패턴을 얻었다. $CF_{4}$ 플라즈마를 이용한 건식에칭내성 평가 결과 기존 원자외선 레지스트용 매트릭스 수지인 poly(4-hydroxystyrene)보다 약 10% 향상되었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Poly[4-hydroxystyrene-co-2-(4-methoxybutyl)-2-adamantyl methacrylate] was synthesized and evaluated as a matrix resin for extreme UV (EUV) chemically amplified resist. The resist system formulated with this polymer resolved 120 nm line and space (pitch 240 nm) positive patterns using a KrF excimer l...

주제어

#extreme UV lithography   #chemically amplified resist   #adamantly methacrylate  

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