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연마불균일도에 영향을 미치는 패드 표면특성에 관한 연구
Effect of Pad Surface Characteristics on Within Wafer Non-uniformity in CMP 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.19 no.4, 2006년, pp.309 - 313  

박기현 (부산대학교 정밀기계공학과) ,  박범영 (부산대학교 정밀기계공학과) ,  김형재 ((주)지앤피테크놀로지) ,  정해도 (부산대학교 기계공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Pad surface characteristics such as roughness, groove and wear rate of pad have a effect on the within wafer non-uniformity(WIWNU) in chemical mechanical polishing(CMP). Although WIWNU increases as the uniformity of roughness(Rpk: Reduced peak height) becomes worse in an early stage of polishing tim...

주제어

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문제 정의

  • 따라서 본 연구에서는 패드 표면특성 중에서 패드의 표면거칠기, ZL루브 그리고 패드 마멸이 연마 불균일도에 미치는 영향을 알아보고자 한다.
  • 따라서 패드 표면 거칠기, 패드 강성 그리고 패드 마멸의 관점에서 패드 표면특성이 연마 불균일도와 관계를 파악하기 위해서 실험을 수행하였다.
  • 본 연구에서는 패드 표면특성 중에서 표면거칠기, 패드 강성 그리고 패드 마멸이 연마 불균일도에 미치는 영향을 알아보았다.
  • 패드 표면특성을 표면거칠기, 패드 강성 그리고 컨디셔닝 공정에 따른 패드 마멸 프로파일로 분류하고, 이러한 인자가 연마 불균일도에 미치는 영향을 확인하기 위한 실험을 하였다. 모든 실험은 표 1에 제시한 실험조건으로 연마를 수행하였다.
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참고문헌 (9)

  1. P. Singer, Seimiconductor International, Vol. 6, p. 90, 1998 

  2. S. H. Li, 'Chemical Mechanical Polishing in Silicon Processing', Academic Press, p. 186, 2000 

  3. A. R. Baker, 'The origin of the. edge effect in CMP', Proc. 1996 Electrochemical Society, p. 229, 1996 

  4. C. S. Murthy, CMP MIC Conference, Vol. 200, p. 281, 1997 

  5. K. H. Park, J. W. Jung, B. Y. Park, H. D. Seo, H. S Lee, and H, D. Jeong, 'A study on the within wafer non-uniformity of oxide film in CMP', J. of KIEEME(in Korean), Vol. 18, No.6, p. 521, 2005 

  6. B. Bhushan, 김청균, '마이크로/나노 트라이볼로지', Korean Translation Copyright $\copyright$ 2000 by The Korea Economic Daily&Business Publication Inc., p. 76, 2000 

  7. http://www.taylor-hobson.com 

  8. T. K. Yu, C., C. Yu, and M. Orlowski, 'A statistical polishing pad model for chemical mechanical polishing', IEEE, p, 29, 1994 

  9. M. R. Oliver, 'Chemical Mechanical Planarization of Semiconductor Materials', Physics and Astronomy, p. 260, 2003 

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