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NTIS 바로가기한국정밀공학회지 = Journal of the Korean Society for Precision Engineering, v.23 no.5 = no.182, 2006년, pp.59 - 67
김문기 (서울대학교 기계항공공학부 대학원) , 윤영빈 (서울대학교 기계항공공학부) , 고영호 ((주)삼성전자 메모리사업부) , 홍창기 ((주)삼성전자 메모리사업부) , 신상희 (서울대학교 기계항공공학부)
Chemical Mechanical Polishing(CMP) in semiconductor production is characterized its output property by Removal Rate(RR) and Non-Uniformity(NU). Some previous works show that RR is determined by production of pressure and velocity and NU is also largely affected by velocity of flowfield during CMP. T...
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