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[국내논문] Particle Image Velocimetry 기법을 이용한 CMP 공정의 Slurry유동 분석
Velocity Measurements of Slurry Flows in CMP Process by Particle Image Velocimetry 원문보기

한국정밀공학회지 = Journal of the Korean Society for Precision Engineering, v.23 no.5 = no.182, 2006년, pp.59 - 67  

김문기 (서울대학교 기계항공공학부 대학원) ,  윤영빈 (서울대학교 기계항공공학부) ,  고영호 ((주)삼성전자 메모리사업부) ,  홍창기 ((주)삼성전자 메모리사업부) ,  신상희 (서울대학교 기계항공공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Chemical Mechanical Polishing(CMP) in semiconductor production is characterized its output property by Removal Rate(RR) and Non-Uniformity(NU). Some previous works show that RR is determined by production of pressure and velocity and NU is also largely affected by velocity of flowfield during CMP. T...

Keyword

AI 본문요약
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문제 정의

  • 패드의 회전속도와 웨이퍼의 회전 속도를 변수로 하여 유 동장을 관찰하였고, 그 결과 groove가 없는 패드의 경우 본 연구의 공정조건에서 패드와 웨이퍼 사이에 유 동장이 존재할 것으로 판단되었다. 이에 유 동장을 예측하는 간단한 모델과 함께 결과의 타당성을 검증하였다.

가설 설정

  • 설명할 수 있다. 우선 패드와 웨이퍼 사이에 연속적인 유체 필름이 존재한다고 가정을 흐卜자. 이때, 필름 내부의 유동을 층류라고 가정할 경우, 이 층류의 양쪽 경계는 웨이퍼의 선속도와 패드의 선속 도가 된다.
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참고문헌 (15)

  1. Doi, T., Kasai, T. and Nakagawa, T., '半導體平坦化 CMP 技術,' 株式會社 工業調査會, 1998 

  2. Oliver, M. R., 'Chemical-Mechanical Planarization of Semiconductor Materials,' Springer-Verlag Berlin Heidelberg, Germany, 2004 

  3. Zantye, P. B., Kumar, A. and Sikder, A. K., 'Mater. Sci. Eng. R.,' Reports, Vol. 45, pp. 89-220, 2004 

  4. Runnels, S. R. and Eyman, L. M., 'Tribology Analysis of Chemical-Mechanical Polishing,' J. Electrochem. Soc., Vol. 141, pp. 1698-1701, 1994 

  5. Park, S. S., Cho, C. H. and Ahn, Y., 'Hydrodynamic Analysis of Chemical Mechanical Polishing Process,' Tribology International, Vol. 33, pp. 723730,2000 

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  7. Larsen-Bass, J. and Liang, H., 'Probable role of abrasion in chemo-mechanical polishing of tungsten,' Wear, Vol. 233-235, pp. 647-654, 1999 

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  9. Zhao, Y. and Chang, L., 'A micro-contact and wear model for CMP of silicon wafers,' Wear, Vol. 252, pp 220-226, 2002 

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  13. Raffel, M., Willert, C. E. and Kompenhans, J., 'Particle Image Velocimetry: A Practical Guide,' Springer, 1997 

  14. Tseng, W. T., Chin, J. H. and Kang, L. C., 'A Comparative Study on the Roles of Velocity in the Material Removal Rate during Chemical Mechanical Polishing,' J. Electrochem. Soc., Vol. 146, pp. 1952-1959, 1999 

  15. Park, D. W., 'A Control Method of Removal Rate Profiles,' Samsung technical reports, Samsung Electronics 

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