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NTIS 바로가기韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.16 no.6, 2007년, pp.439 - 445
이상흥 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소) , 이승윤 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소) , 박찬우 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소)
SiGe integrated circuits are being used in the field of high-speed wire/wireless communications and microwave systems due to the RF/high-speed analog characteristics and the easiness in the fabrication. Reducing the resistance variation in SiGe thin film resistors results in enhancing the reliabilit...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전자 회로를 구성하는 수동소자는 어떻게 사용되는가? | 전자회로를 구성하기 위해서는 인덕터, 커패시터, 저항기(resistor) 등의 수동소자가 필요하며, 이것들은 개별 부품으로 회로 기판에 장착되거나 일괄 공정으로 반도체 기판 위에 집적되어 사용된다. 후자의 방법은 트랜지스터와 수동소자를 금속 선(metal line)으로 직접 연결하여 기생성분을 최소화 할 수 있으므로 집적회로(IC, integrated circuit)의 제조에 널리 사용되고 있다. | |
수동소자가 일괄 공정으로 반도체 기판 위에 집적되어 사용되는 방법이 집적회로 제조에 널리 사용되는 이유는? | 한편, SiGe HBT(hetero-junction bipolar transistor)와 Si CMOS 트랜지스터를 집적하는 SiGe BiCMOS 기술로 제작되는 SiGe 집적회로는 III-V 족 화합물 반도체 소자에 근접하는 RF 및 고속 아날로그 특성, 제조 공정의 용이성에 의하여 고속 유무선통신 및 초고주파 분야에서 크게 각광받고 있는 상황이다[1]. SiGe 집적회로 내에서의 저항기(resistor)는 그 고유 저항 값에 따라 웰 영역, 확산(diffusion) 영역, 다결정 실리콘계 박막, 또는 금속 선 등의 다양한 형태로 구성이 가능하다. 일반적으로 금속 선은 낮은 저항 값을, 웰 영역은 높은 저항 값을 가지며, 다결정 실리콘 박막은 높은 저항 값(고저항) 또는 낮은 저항과 높은 저항 사이의 중간값(중저항)을 가지게 된다. | |
SiGe 집적회로 내에서의 저항기는 어떤 형태로 구성이 가능한가? | 한편, SiGe HBT(hetero-junction bipolar transistor)와 Si CMOS 트랜지스터를 집적하는 SiGe BiCMOS 기술로 제작되는 SiGe 집적회로는 III-V 족 화합물 반도체 소자에 근접하는 RF 및 고속 아날로그 특성, 제조 공정의 용이성에 의하여 고속 유무선통신 및 초고주파 분야에서 크게 각광받고 있는 상황이다[1]. SiGe 집적회로 내에서의 저항기(resistor)는 그 고유 저항 값에 따라 웰 영역, 확산(diffusion) 영역, 다결정 실리콘계 박막, 또는 금속 선 등의 다양한 형태로 구성이 가능하다. 일반적으로 금속 선은 낮은 저항 값을, 웰 영역은 높은 저항 값을 가지며, 다결정 실리콘 박막은 높은 저항 값(고저항) 또는 낮은 저항과 높은 저항 사이의 중간값(중저항)을 가지게 된다. |
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