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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)유진테크 |
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연구책임자 | 신승우 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-07 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800040213 |
과제고유번호 | 1711041063 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-09-22 |
키워드 | 에피성장 장비.실리콘.실리콘-게르마늄.게르마늄.고생산성.12인치 웨이퍼. |
핵심기술
저압 화학기상 증착개념을 적용한 다층구조의 배치방식 고생산성 선택적 에피성장
최종목표
- 고생산성 에피탁시 성장을 위한 reactor 설계 및 장비 개발
- Wafer 온도 및 gas flow 조절을 통한 uniformity 및 particle 최소화 공정 개발
- 자연 산화막 제거 chamber 구성 및 클러스터 작업 최적화
개발내용 및 결과
다층구조의 배치방식 적용을 통한 고생산성 선택적 에피성장 장치 개발
기술개발 배경 기존의 매엽식 에피성장 장치의 낮은 생산성
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