다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.16 no.6, 2007년, pp.439 - 445
이상흥 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소) , 이승윤 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소) , 박찬우 (한국전자통신연구원 IT융합부품연구소)
AI-Helper
SiGe integrated circuits are being used in the field of high-speed wire/wireless communications and microwave systems due to the RF/high-speed analog characteristics and the easiness in the fabrication. Reducing the resistance variation in SiGe thin film resistors results in enhancing the reliabilit...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 전자 회로를 구성하는 수동소자는 어떻게 사용되는가? | 전자회로를 구성하기 위해서는 인덕터, 커패시터, 저항기(resistor) 등의 수동소자가 필요하며, 이것들은 개별 부품으로 회로 기판에 장착되거나 일괄 공정으로 반도체 기판 위에 집적되어 사용된다. 후자의 방법은 트랜지스터와 수동소자를 금속 선(metal line)으로 직접 연결하여 기생성분을 최소화 할 수 있으므로 집적회로(IC, integrated circuit)의 제조에 널리 사용되고 있다. | |
| 수동소자가 일괄 공정으로 반도체 기판 위에 집적되어 사용되는 방법이 집적회로 제조에 널리 사용되는 이유는? | 한편, SiGe HBT(hetero-junction bipolar transistor)와 Si CMOS 트랜지스터를 집적하는 SiGe BiCMOS 기술로 제작되는 SiGe 집적회로는 III-V 족 화합물 반도체 소자에 근접하는 RF 및 고속 아날로그 특성, 제조 공정의 용이성에 의하여 고속 유무선통신 및 초고주파 분야에서 크게 각광받고 있는 상황이다[1]. SiGe 집적회로 내에서의 저항기(resistor)는 그 고유 저항 값에 따라 웰 영역, 확산(diffusion) 영역, 다결정 실리콘계 박막, 또는 금속 선 등의 다양한 형태로 구성이 가능하다. 일반적으로 금속 선은 낮은 저항 값을, 웰 영역은 높은 저항 값을 가지며, 다결정 실리콘 박막은 높은 저항 값(고저항) 또는 낮은 저항과 높은 저항 사이의 중간값(중저항)을 가지게 된다. | |
| SiGe 집적회로 내에서의 저항기는 어떤 형태로 구성이 가능한가? | 한편, SiGe HBT(hetero-junction bipolar transistor)와 Si CMOS 트랜지스터를 집적하는 SiGe BiCMOS 기술로 제작되는 SiGe 집적회로는 III-V 족 화합물 반도체 소자에 근접하는 RF 및 고속 아날로그 특성, 제조 공정의 용이성에 의하여 고속 유무선통신 및 초고주파 분야에서 크게 각광받고 있는 상황이다[1]. SiGe 집적회로 내에서의 저항기(resistor)는 그 고유 저항 값에 따라 웰 영역, 확산(diffusion) 영역, 다결정 실리콘계 박막, 또는 금속 선 등의 다양한 형태로 구성이 가능하다. 일반적으로 금속 선은 낮은 저항 값을, 웰 영역은 높은 저항 값을 가지며, 다결정 실리콘 박막은 높은 저항 값(고저항) 또는 낮은 저항과 높은 저항 사이의 중간값(중저항)을 가지게 된다. |
J.D. Cressler, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 46(5), 572-589 (1998)
R. Dragovic-Ivanovic, Z. Mijanovic, L. Stankovic, N. Lekic, IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems 9(1), 409 (2002)
T. Lee, K. Watson, F. Chen, J. Gill, D. harmon, T. Sullivan, B. Li, IEEE Annual International Reliability Physics Symposium 42(1), 502 (2004)
H.-M. Chuang, K.-B. Thei, S.-F. Tsai, W.-C. Liu, IEEE Transactions on Electron Devices 50(5), 1413 (2003)
J. A. Babcock, P. Francis, R. Bashir, A. E. Kabir, D. K. Schroder, M. S. L. Lee, T. Dhayagude, W. Yindeepol, S. J. Prasad, A. Kalnitsky, M. E. Thomas, H. Haggag, K. Egan, A. Bergemont, P. Jansen, IEEE Electron Device Letters 21(6), 283 (2000)
Y. Kiyota, T. Nakamura, K. Muraki, H. Niwayama, T. Inada, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1：Regular Papers & Short Notes & Review Papers 34(6A), 2981 (1995)
B. Umapathi, S. Das, S.K. Lahiri, S. Kal, Journal of Electronic Materials 30(1), 17 (2001)
N.S. Parekh, H. Roede, A.A Bos, A.G.M. Jonkers, R.D.J. Verhaar, IEEE Transactions on Electron Devices 38(1), 88 (1991)
J.S. Choi, S.H. Paek, Y.S Hwang, S.H. Choi, D.W. Kim, H.K. Moon, J.K. Chung, W.S. Paek, T.U. Sim, J.G. Lee, Journal of Materials Science 28(18), 4878 (1993)
E. Colgan, J. Gambino, and Q. Hong, Mater. Sci. Eng. R16, 43 (1996)
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.