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[국내논문] MOSFET의 특성변화에 따른RF 전력증폭기의 신뢰성 특성 분석
Reliability Characteristics of RF Power Amplifier with MOSFET Degradation 원문보기

한국해양정보통신학회논문지 = The journal of the Korea Institute of Maritime Information & Communication Sciences, v.11 no.1, 2007년, pp.83 - 88  

최진호 (부산외국어대학교 컴퓨터공학부)

초록
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MOSFET 트랜지스터의 전기적인 특성 변화에 따른 Class-E RF 전력 증폭기의 신뢰성 특성을 분석하였다. Class-E 전력 증폭기에서 MOSFET는 높은 효율을 얻기 위해 스위치로 동작하며, 이로 인해 MOSFET가 off 되었을 때 드레인 단자에 높은 전압 신호가 발생한다. 회로가 동작함에 따라 높은 전압의 스트레스로 인하여 MOSFET의 문턱 전압은 증가하고 전자의 이동도는 감소하여 MOSFET의 드레인 전류는 감소하게 된다. Class-E 전력 증폭기에서 MOSFET의 전류가 감소하면 전력 효율 및 출력 전력은 감소하게 된다. 그러나 class-E 전력증폭기에서 작은 부하 인덕터를 사용할 경우 큰 인덕터를 사용하는 경우에 비 해 신뢰성 특성을 향상시킬 수 있다. 1mH의 부하 인덕터를 사용한 경우 $10^{7}$초 후에 드레인 전류는 46.3%가 감소하였으며, 전력 효율은 58%에서 36%로 감소하였다. 그러나 1nH의 부하 인덕터를 사용한 경우 드레인 전류는 8.89%, 전력 효율 59%에서 55%로 감소하여 우수한 신뢰성 특성을 보여주었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The reliability characteristics of class-E RF power amplifier are studied, based on the degradation of MOSFET electrical characteristics. The class-E power amplifier operates as a switch mode operation to achieve high efficiency. This operation leads to high voltage stress when MOSFET switch is turn...

Keyword

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문제 정의

  • 본 논문에서는 class-E 전력 증폭기 의 MOSFET에 인가되는 스트레스 특성을 load 구성 에 따라 살펴본다. 스트레스에 따른 MOSFET의 특성 변화로부터 class-E 전력증폭기의 특성변화를 분석하고, MOSFET의 특성 변화와 전력 효율 및 출력 전력의 관계를살펴보고자 한다.
  • 스트레스에 따른 MOSFET의 특성 변화로부터 class-E 전력증폭기의 특성변화를 분석하고, MOSFET의 특성 변화와 전력 효율 및 출력 전력의 관계를살펴보고자 한다.
  • 본 논문에서는 class-E 전력 증폭기의 부하 인덕터 값에 따른 신뢰성 특성을 살펴보았다. 전력 증폭기는0.
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참고문헌 (6)

  1. R. Castello, F. Sevelto, and S. Deantoni, 'A 1.3 GHz low phase noise fully tuneable CMOS LC VCO,' IEEE. J. Solid-State Circuits, vol. 35, no. 3, pp. 356-361, Mar. 2000 

  2. P. J. Sulivan, B. A. Xavier, and W. H. Ku, 'Low voltage performance of a microwave CMOS Gilbert cell mixer,' IEEE. J. Solid-State Circuits, vol. 32, pp. 1151-1155, 1997 

  3. R. A. Rafla and M. N. EL-Gamal, 'Design of a 1.5V CMOS integrated 3GHz LNA,' in proc. ISCAS, pp. 440-443, 1999 

  4. W. C. Lin, T. C. Wu, Y. H. Tsai, L. J. Du, and Y. C. King, 'Reliability evaluation of class-E and class-A power amplifiers with nanoscaled CMOS technology,' IEEE Trans. on Electron Devics, vol. 52, no. 7, July 2005 

  5. C. Yoo, and Q. Huang, 'A common-gate switched 0.9W class-E power amplifier with 41% PAE in 0.25um CMOS,' IEEE. J. Solid-State Circuits, vol. 36, no. 5, pp. 823-830, May 2001 

  6. J. E. Chung, M. C. Jeng. J. E. Moon, P. K. Ko and C. Hu, 'Low-voltage hot-electron currents and degradation in deep submicronmeter MOSFET's,' IEEE. Trans. on Electron Devices, vol. 37, no. 7, pp. 1651-1657, July 1990 

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