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푸리에변환 적외선분광분석법에 의한 누설전류의 발생 원인에 대한 연구
Study on the Generation of Leakage Current by the Fourier Transform Infrared Analysis 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.20 no.6, 2007년, pp.514 - 519  

오데레사 (청주대학교 반도체설계공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The surfaces of $SiO_2$ films were treated by PMMA diluted solutions, and analyzed the chemical shift from Fourier Transform Infrared Spectrometer. The $SiO_2$ film treated by PMMA diluted solution changed the properties of the surface, and showed the blue and red shift accordi...

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문제 정의

  • 본 논문에서는 SiO2 절연산화막의 특성을 개선하기 위해서 표면처리를 하는데 있어 PMMA 용매제를 사용하여 절연막 표면에서 일어나는 유기화학 반응으로부터 박막표면의 특성 변화에 대하여 전기적인 분석 방법과 화학적 분석을 통하여 서로의 상관성에 대하여 해석하였다.
  • 본 연구에서는 게이트 절연막으로 사용되어지는 SiO2 산화막의 4 연특성을 개선하기 위해서 유기물처리를 한 뒤 누설전류의 특성을 관찰하였다. SiO2 산화막은 친수성의 분극을 띄므로 PMMA를 사용한 용매제를 사용하여 표면을 유기물처리하여 소수성을 갖도록 하는 동시에 중성의 영역에서 나타나는 표면변화를 살펴보았다.
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참고문헌 (21)

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