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문제 정의
- 있다. 본 연구에서는 일부 전자부품들을 대상으로 이들 규격을 이용하여 신뢰성 예측을 수행하고 결과를 비교하고자 한다. 이를 위하여 저출력(low wattage) 형광둥용 안정기 (ballast)를 대상으로 구성부품들을 고찰한다.
- 본 절에서는 전기전자 부품들에 있어 세계적으로 가장 많이 활용되는 MIL-HDBK-217 과 SR-332에 대하여 간단히 고찰한다.
- 전체 부품들 중 일부 부품들에 대하여 간단히 고찰한다. 저항(R1-R6)은 범주가 고정형(fixed)이고 세부 분류가 1메가 옴(아inD 이하의 Film (carbon ox너e)형이며, 동작전력은 약 0.
- 나열된다. 이들은 안정기 전체의 요구 기능에 따라 적절히 적용되고 있으나 여기서는 이들을 대부분 포함하는 인버터 부분을 중심으로 고려하고자 한다.
가설 설정
- 이들 양자에 있어 고려되는 부품의 수명은 지수분포(exponential distributionX 가정하며, 신뢰성 지표는 고장률(failure rate) 이나 MTBF (mean time between failures)의 형태로 제공된다. 즉, 임의 고장률(random failure rate)을 가정하며, 고장률은 MIL-HDBK-217의 경우 1(沪 (백만) 시간 단위, SR~332의 경우 109 (10억) 시간 단위로 사용한다.
- between failures)의 형태로 제공된다. 즉, 임의 고장률(random failure rate)을 가정하며, 고장률은 MIL-HDBK-217의 경우 1(沪 (백만) 시간 단위, SR~332의 경우 109 (10억) 시간 단위로 사용한다.
- 팩터들은 다음과 같이 요약된다. 첫째, 온도는 전기 . 전자부품의 신뢰도에 가장 큰 영향을 미치는 요인이다.
- 시스템의 고장률 계산은 원칙적으로 부품들의 직렬구조(series structure)를 가정하며 모든 구성부품들의 고장률 합과 환경팩터의 곱으로 계산한다. 최종적으로, 전체 시스템의 고장률은 부품별 고장률을 계산한 뒤 개별 부품들이 서로 독립임을 가정하여 이들의 합으로 정의한다.
- 최종적으로, 전체 시스템의 고장률은 부품별 고장률을 계산한 뒤 개별 부품들이 서로 독립임을 가정하여 이들의 합으로 정의한다.
- 트랜스포머(L1-L3)는 코일과 같이 범주가 inductive device이며 세부 범주가 트랜스포머이다. 이의 동작온도는 60^를 가정하였다. 트랜지스터(Q1, Q2)는 세부 범주가 실리콘(silicon)으로 6W 이상의 NPN형이다.
- 0243이다. 동작온도 역시 높은 8SC를 가정하며 m=0.22인 곡선 4로 정의된다. 기타 세부적인 내용은 표에 정의되었다.
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