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APCVD법으로 증착한 3C-SiC 박막의 라만 산란 특성
Raman Scattering Characteristics on 3C-SiC Thin Films Deposited by APCVD Method 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.20 no.7, 2007년, pp.606 - 610  

정준호 (울산대학교 전기전자정보시스템공학부) ,  정귀상 (울산대학교 전기전자정보시스템공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper describes the Raman scattering characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin films, in which they were deposited on the oxidized Si substrate by APCVD method according to growth temperature. Since the phonon modes were not measured for $0.4{\mu}m$ thick 3C-SiC, $2....

주제어

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문제 정의

  • 따라서, 본 연구에서는 비파과적인 방법인 라만 산란으로 APCVD법으로 열산화막을 갖는 Si 기판 위에 성장된 3C-S1C 막의 TO (transverse optical mode) and LO (longitudinal optical mode) 모드를 분석하여 막의 결정성장 형태와 스트레스를 평가하였다.
  • 본 연구에서는 APCVD법으로 성장온도에 따라 약 800 nm의 열산화막을 갖는 Si기판위에 다결정 3C-SiC 박막을 성장시켰다. 여기서, 주입되는 가스 [HMDS (Si2(CH3)6): 8 seem, Hz: 100 seem] 들은 반응관의 중심에 있는 SiC가 코팅된 susceptor위에 기판과 평 행하게 흘려다[10].
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참고문헌 (19)

  1. P. M. Sarro, 'Silicon carbide as a new MEMS technology', Sensors & Actuators A, Vol. 82, p. 210, 2000 

  2. L. Jiang, R. Cheung, J. Hedley, M. Hassan, A. J. Harris, J. S. Burdess, M. Mehregany, and C. A. Zorman, 'SiC Cantilever resonators with electrothermal actuation', Sensors & Actuators A, Vol. 128, p. 376, 2006 

  3. C. A. Zorman and M. Mehregany, 'Silicon carbide for MEMS and NEMS', Proc. IEEE, Vol. 2, p. 1109, 2002 

  4. M. Mehregany and C. A. Zorman, 'SiC MEMS:. Opportunities and challenges for applications in harsh. environments', Thin Solid Films, Vol. 355-356, p. 518, 1999 

  5. R. Hull, 'Properties of crystalline silicon', INSPEC, London, 1999 

  6. D. N. Talwar and J. C. Sherbondy, 'Thermal expansion coefficient of 3C-SiC', Appl, Phys. Lett., Vol. 67, No. 22, p. 3301, 1995 

  7. D. Gao, B. J. Wijesundara, C. Carraro, R. T. Howe, and R. Maboudian, 'Recent progress toward a manufacturable polycrystalline SiC surface micromachining technology', IEEE Sensors J., Vol. 4, No.4, p. 441, 2004 

  8. N. Jin, G. Quancheng, S. Guosheng, and L. Zhongli, 'The ICP etching technology of 3C-SiC films', J. Phys. Conf. Ser., Vol. 34, p. 511, 2006 

  9. S. H. Kim, C. E. Kim, and Y. J. Oh, 'Influence of $Al_2O_3$ buffer layer on the crystalline structure and dielectric property of $PbTiO_3$ thin film by sol - gel processing', J. of Mater. Sci. Lett., Vol. 16, No. 4, p. 257, 1997 

  10. 정귀상, 김강산, 한기봉, 'HMDS 단일 전구체를 이용한 다결정 3C-SiC 박막 성질', 전기전자재료학회논문지, 20권, 2호, p. 156, 2007 

  11. G. V. Zaia, 'Epitaxial growth of Si and 3C-SiC by chemical vapor deposition', Technischen Uni., Ph.D. Thesis, 2002 

  12. Z. C. Feng, J. Mascarenhas, W. J. Choyke, and J. A. Powell, 'Raman scattering studies of chemical-vapor-deposited cubic SiC films of (100) Si', J. Appl. Phys., Vol. 64, p. 3176, 1988 

  13. H. Harima, 'Raman scattering characterization on SiC', Microelectron. Eng., Vol. 83, p. 126, 2006 

  14. F. Tuinstra and J. L. Koenig, 'Raman spectrum of graphite', J. Chem. Phys., Vol. 53, p. 1126, 1970 

  15. A. C. Ferrari and J. Robertson, 'Interpretation of Raman spectra of disordered and amorphous carbon', Phys. Rev. B, Vol. 61, p. 14095, 2000 

  16. D. W. Feldman, J. H. Parker, Jr. W. J. Choyke, and L. Patrick, 'Phonon dispersion curves by raman scattering in SiC, ploytypes 3C, 4H, 6H, 15R, and 21R', Phys. Rev. B, Vol. 173, p. 787, 1968 

  17. A. Jorio, A. G. Souza Filho, V. W. Brar, A. K. Swan, M. S. Ulnu, B. B. Goldberg, A. Righi, J. H. Hafner, C. M. Lieber, R. Saito, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, 'Polarized resonant raman study of isolated single-wall carbon nanotubes: symmetry selection rules, dipolar and multipolar antenna effects', Phys. Rev. B, Vol. 65, p. 1214021, 2002 

  18. D. Olego, M. Cardona, and P. Vogl, 'Pressure dependence of the optical phonons and transverse effective charge in 3C-SiC', Phys. Rev. B, Vol. 25, No. 6, p. 3878, 1982 

  19. W. L. Zhu, J. L. Zhu, S. Nishino, and G. Pezzotti, 'Spatially resolved raman spectroscopy evaluation of residual stresses in 3C-SiC layer deposited on Si substrates with different crystallographic orientations', Appl, Surf. Sci., Vol. 252, p. 2346, 2006 

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