APCVD법에 위해 제조된 $\\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$계 박막의 가연성 가스 감지 특성 평가 Characterization to flammable gas $\\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$ system thin film fabricated by APCVD원문보기
APCVD(Atrmos phere Pressure Vapor Deposition)법으로 $\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$계 박막 가스센서 소자를 제조하여 열처리(Heat treatment)하였으며, 가연성 가스($CH_4$, $H_2$, LPG)에 대하여 감지 특성(Sensitivity)을 측정하였다. 감지특성 향상을 위해 소자를 $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 각각 2시간동안 열처리하였으며 $500^{\circ}C$에서 2시간 동안 열처리하였을 때 가장 우수한 감응도를 조사하였다. 특히 $H_2$에 대하여 가장 민감한 반응을 보였다. 최적의 작동온도를 찾기 위해 $100^{\circ}C$~$300^{\circ}C$으로 변화하며 가스 감응도를 조사하였다. 제작된 소자는 작동온도 $175^{\circ}C$, 측정 범위 500ppm ~ 10,000ppm에서 $H_2$일 경우 감지도가 62%~76%를 가졌으며, $CH_2$의 경우 16%~58%, LPG의 경우 8%~37%이였다. 또한 열처리한 것과 안한 것의 감응도의 차이는 약 10%이었다. LPG 1,000ppm에서의 장기안정성은 감응도 30%의 값으로 수렴하였다.
APCVD(Atrmos phere Pressure Vapor Deposition)법으로 $\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$계 박막 가스센서 소자를 제조하여 열처리(Heat treatment)하였으며, 가연성 가스($CH_4$, $H_2$, LPG)에 대하여 감지 특성(Sensitivity)을 측정하였다. 감지특성 향상을 위해 소자를 $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 각각 2시간동안 열처리하였으며 $500^{\circ}C$에서 2시간 동안 열처리하였을 때 가장 우수한 감응도를 조사하였다. 특히 $H_2$에 대하여 가장 민감한 반응을 보였다. 최적의 작동온도를 찾기 위해 $100^{\circ}C$~$300^{\circ}C$으로 변화하며 가스 감응도를 조사하였다. 제작된 소자는 작동온도 $175^{\circ}C$, 측정 범위 500ppm ~ 10,000ppm에서 $H_2$일 경우 감지도가 62%~76%를 가졌으며, $CH_2$의 경우 16%~58%, LPG의 경우 8%~37%이였다. 또한 열처리한 것과 안한 것의 감응도의 차이는 약 10%이었다. LPG 1,000ppm에서의 장기안정성은 감응도 30%의 값으로 수렴하였다.
The $\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$ thin film gas sensor was fabricated by APCVD and heat treated. The gas sensitivity to flammable gases ($CH_4$, $H_2$, LPG) was measured. This device was to heat treatment at $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$<...
The $\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$ thin film gas sensor was fabricated by APCVD and heat treated. The gas sensitivity to flammable gases ($CH_4$, $H_2$, LPG) was measured. This device was to heat treatment at $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$, $600^{\circ}C$ for 2 h to enhance the gas sensitivity. The heat treated device at $500^{\circ}C$ for 2 h had the best properties and especially it shows high sensitivity to H2 gas. The sensitivity to gases was studied in the temperature range from lOoC to $300^{\circ}C$ in order to find the optimum detection temperature. In the range of detection from 500 ppm to 10,000 ppm at $175^{\circ}C$ the fabricated device showed that the gas sensitivity to $H_2$ was from 62%~76% and to $CH_4$ was from 16 %~58% and to LPG was from 8%~37 %. The sensitivity difference between heat treated device and as fabricated one was about 10 8 The long-term stability to LPG at 1,000 ppm was converged to sensitivity of 30 %.
The $\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$ thin film gas sensor was fabricated by APCVD and heat treated. The gas sensitivity to flammable gases ($CH_4$, $H_2$, LPG) was measured. This device was to heat treatment at $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$, $600^{\circ}C$ for 2 h to enhance the gas sensitivity. The heat treated device at $500^{\circ}C$ for 2 h had the best properties and especially it shows high sensitivity to H2 gas. The sensitivity to gases was studied in the temperature range from lOoC to $300^{\circ}C$ in order to find the optimum detection temperature. In the range of detection from 500 ppm to 10,000 ppm at $175^{\circ}C$ the fabricated device showed that the gas sensitivity to $H_2$ was from 62%~76% and to $CH_4$ was from 16 %~58% and to LPG was from 8%~37 %. The sensitivity difference between heat treated device and as fabricated one was about 10 8 The long-term stability to LPG at 1,000 ppm was converged to sensitivity of 30 %.
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문제 정의
본 연구에 앞선 보고[6]에 따라 센서를 제작하고, 감응도를 향상시키고자 열처리(Heat treatment) 하여 가연성가스에 대하여 실험을 수행하였다. Fig.
특히 a- FezQ)를 센서 재료로 사용할 경우 촉매 이온을 필요로하지 않으며, n-type 반도체로서 환원성 가스의 감지에 더 유리한 특성을 지니고 있다. 이들 소자를 열처리하여 가연성 가스(CH. H2> LPG)에 대하여 감응도 변화를 알아보고 더 우수한 감응도를 나타낼 수 있는 가스 센서의 연구개발에 목표를 두었다.
그러나 이러한 것들은 습도에 영향을 민감하게 받는다는 단점이 있다. 이에 본 연구에서는 가스 감응도가 높은 SnQ와 상온에서도 습도의 영향이 적고, 장기 안정성 이 우수하다고 알려진 a- FezQB]을 적층 열처리 제조하여 장시간 사용에도 우수한 능력을 발현할 수 있는 가스센서를 연구하였다. 특히 a- FezQ)를 센서 재료로 사용할 경우 촉매 이온을 필요로하지 않으며, n-type 반도체로서 환원성 가스의 감지에 더 유리한 특성을 지니고 있다.
제안 방법
11은 a-FezQs/SnQ;계 박막 소자의 장기 안정성에 대한 그래프이다. 1,000ppm의 LPG에 대하여 측정한 것으로, 저항을 측정하기 전 Fan으로 10초간 대류를 시킨 후 저항을 측정하였다. 그래프에서 나타내듯이 초기 0~ 125시간 사이에는 감도의 변화가 최대 20% 의 차이를 보였으나 150시간 이후로는 7~3 %로 비교적 안정한 감응도를 나타내었다.
CVD로 증착 할 경우 Sn3O4, SnO, SnQ가 섞여 있는 혼정 상태라고 생각되며, 가스검지의 주요 인자인 a-Fe2Os/ SnO2 결정을 성장시키기 위하여 대기중에서 다양한 온도에서 열처리하였다. 결정화는 XRD 분석방법을 이용하여 나타내었다.
1은 제작 공정을 나타내었다. 감응도 향상을 위해 CVD 장치를 이용하여 증착 두께를 변화시키고, 또한 in-situ로 박막 제조 후 대기 분위기에서 다양한 온도로 열처리하였다[7].
그리고 내부에 설치된 fan으로 10초 동안 대류를 시킨 후 저항 변화를 측정하였다. 저항측정 시 가스센서소자의 작동온도는 실험에 의해 최적화를 나타낸 175℃에서 수행되었고, 이 온도를 유지하기 위해 발열체에 인가되는 전류를 일정하게 변화시켰다.
이 그래프에서도 나타나듯이 175℃일 때 가장 낮은 저항치를 보였다. 대기중에서 가연성 가스의 흡착 없이 가장 낮은 저항치를 보이는 온도를 찾으므로서 실험중 가연성 가스의 흡착으로 인하여 저항이 더 낮아지게 되므로 가장 낮은 저항 수치를 찾기 위해 대기중 낮은 저항치를 찾았다. 이로서 소자의 최적 작동 온도를 175℃로 잡았다.
, Japan)장비를 이용하여 열처리(Heat treatment) 온도변화에 따른 Peak의 변화로 박막의 결정성를 관찰하였으며, power는 40KV-30mA의 조건에서 측정이 이루어졌다. 또한 SEM(JEOL JXA 840A, Japan)을 이용하여 열처리 전과 열처리 후의 막 두께를 관찰하였다.
저항측정 시 가스센서소자의 작동온도는 실험에 의해 최적화를 나타낸 175℃에서 수행되었고, 이 온도를 유지하기 위해 발열체에 인가되는 전류를 일정하게 변화시켰다. 또한 발열체의 온도검출을 위하여 후면에 열전쌍(Thermocouple)을 부착하였다. 가스센서의 감응도 (S)는 일반적으로 다음과 같이 표현되며, Rg는 가스 존재 시 저항이며, Ri는 대기 상태에서의 저항이다.
그리고 내부에 설치된 fan으로 10초 동안 대류를 시킨 후 저항 변화를 측정하였다. 저항측정 시 가스센서소자의 작동온도는 실험에 의해 최적화를 나타낸 175℃에서 수행되었고, 이 온도를 유지하기 위해 발열체에 인가되는 전류를 일정하게 변화시켰다. 또한 발열체의 온도검출을 위하여 후면에 열전쌍(Thermocouple)을 부착하였다.
제작된 시편의 박막의 구조분석은 빅막 XRD(Rigaku Co., Japan)장비를 이용하여 열처리(Heat treatment) 온도변화에 따른 Peak의 변화로 박막의 결정성를 관찰하였으며, power는 40KV-30mA의 조건에서 측정이 이루어졌다. 또한 SEM(JEOL JXA 840A, Japan)을 이용하여 열처리 전과 열처리 후의 막 두께를 관찰하였다.
대상 데이터
Fig. 2(a)에서 보는 바와 같이 Pt를 Sput- tering하여 3000 A 두께 [8]로 전극을 증착하였다. 그리고 그 뒷면에는 니크롬선을 Fig.
Substrate는 연마된 알루미나 기판을 사용하였다. 전극을 증착하기 전에 기판 표면의 불순물을 제거함으로서 접착 성향 상을 도왔다.
검지 대상이 되는 가스로는 Methane(CH4), Hydrogen (H2), LPG 에 대하여 감응도를 측정하였고, Chamber 내에 가스는 주사기를 이용 단속 주입법으로 주입하였다. 그리고 내부에 설치된 fan으로 10초 동안 대류를 시킨 후 저항 변화를 측정하였다.
이론/모형
Ar과 Oz의 반응 비율은 Schaus[9]가 제안한 식 (1)에 따라 MFC(Mass Flow Controller MKS사)로 조절하였다.
열처리하였다. 결정화는 XRD 분석방법을 이용하여 나타내었다. 결정을 성장 시켜야하는 이유는 결정화를 이룰 수 록 a-Fe2OySnO2 박막의 결정화를 통한 전자의 전이 현상이 용이하게 될 것으로 생각되어 지기 때문이다.
성능/효과
소자의 작동 온도는 175℃에서 수행되었으며, 가스를 검지 하는데 걸리는 시간은 약 2분 이내 이었다. 10, 000 ppm에서 소자의 감응도 는 H2 가스에 대하여 75 %로 가장 우수하였으며 , CH, 는 58%, LPG는 37% 순으로 감지의 우수성을 나타내었다. 저 농도 영역 (500ppm~l, 000ppm)에서는 감응도 변화율이 최고 50% 이상 되나 고농도 영역(5,000 ppm~10, 000 ppm)에서는 가스흡착이 포화가 되어 변화율이 5 % 이하로 급격히 낮아짐을 알 수 있었다.
위의 조건으로 제작, 열처리된 소자의 감응도 측정은 농도영역 500ppm~L0, 000ppm에서 이루어졌다. H2 가스에 대한 감웅도는 62 %~76%로 측정된 가스들 중에서 가장 우수한 감응도를 보였고, CH, 가스는 16 %~58%, LPG가스는 8 %~37 %를 나타내었다.
5 에서 나타나듯이 Feq의 주 peak는 33°(104)와 35°(110), 54°(116)에서 나타났고, Sn6 의 주 peak 는 26*110), 34°(101), 51°(211)에서 나타났다. XRD 분석에서도 나타나듯이 500℃에서 2시간 동안 열처리 할 때 가장 확실한 SnO2(34°), a-Fe2O3(35°) peak가 생겼고 Sn3O4와 SnO도 점점 감소됨을 알 수 있었다.
1,000ppm의 LPG에 대하여 측정한 것으로, 저항을 측정하기 전 Fan으로 10초간 대류를 시킨 후 저항을 측정하였다. 그래프에서 나타내듯이 초기 0~ 125시간 사이에는 감도의 변화가 최대 20% 의 차이를 보였으나 150시간 이후로는 7~3 %로 비교적 안정한 감응도를 나타내었다.
저 농도 영역 (500ppm~l, 000ppm)에서는 감응도 변화율이 최고 50% 이상 되나 고농도 영역(5,000 ppm~10, 000 ppm)에서는 가스흡착이 포화가 되어 변화율이 5 % 이하로 급격히 낮아짐을 알 수 있었다. 그러므로 a-Fe2OySnO2 박막 소자는 고농도 영역보다는 저농도 영역에서 뛰어난 감응 특성을 나타냄을 알 수 있었다.
있다[13]. 그리하여 소자감응특성 향상을 위해 열처리를 행한 결과, 박막의 두께 감소와 결정의 최적 성장이 목격되었으나 박막은 더 조밀해 짐이 관찰되었다. 이에 따른 감응도를 측정한 결과 비표면적을 넓히지 않았어도 결정성장과 박막의 두께 감소만으로도 감응도의 증가를 보였다.
또한 제작된 소자의 감응도 변화율은 고농도 영역 보다는 저 농도 영역(500 ppm~1, 000 ppm)에서 50% 정도의 우수한 감응 특성을 나타내었고, 작동온도도 175℃로 기존의 소자들보다 낮은 온도에서 최적으로 작동하였다. 또한 500℃에서 2시간 동안 열처리한 소자는 안 한 소자보다 10% 정도의 향상된 감응 특성을 나타내었다. 장기 안정성 측정도 LPG 1, 000 ppm에 대중}여 수행되었으며, 감응도가 으}: 30 %에 수렴하여 일정시간이 지날 수 록 안정됨을 보였다.
일반적으로 보고되는 소자의 작동온도는 300℃이나[11-12] 본 실험에서 제작된 소자는 300℃에서 일시적으로 작동되나 수십분이 지난 후에는 저항이 스스로 급격히 증가됨을 보였다. 또한 SnOz의 박막이 상대적으로 두꺼워 지면 온도상승에 따라서도 장시간의 안정화를 잘 유지하나, 소자의 전체적 저항은 높았음을 알 수 있었다. 이는 Sn Oz의 열역학적 안정화 정도와 열에너지 증가에 의한 SnO2 박막증착의 조밀도 정도가 온도 변화를 따르는 소자의 저항 변화에 영향을 주는 것으로 생각되어 진다.
순서로 선택의 우수성을 보였다. 또한 제작된 소자의 감응도 변화율은 고농도 영역 보다는 저 농도 영역(500 ppm~1, 000 ppm)에서 50% 정도의 우수한 감응 특성을 나타내었고, 작동온도도 175℃로 기존의 소자들보다 낮은 온도에서 최적으로 작동하였다. 또한 500℃에서 2시간 동안 열처리한 소자는 안 한 소자보다 10% 정도의 향상된 감응 특성을 나타내었다.
3과 같은 저항치를 나타내었다. 본 실험에서는 적층 시간이 토탈 13 min 일 때 가장 낮은 우수한 감응도를 나타내었고, 실험온도 변화에 따른 열적안정화를 잘 유지하였다.
이로서 a-Fe2OySnO2* 층상화 하여 열처리 한 가스 센서 소자는 가연성가스에 대한 감지능 측정결과 H2 > CH4 > LPG 순서로 선택의 우수성을 보였다. 또한 제작된 소자의 감응도 변화율은 고농도 영역 보다는 저 농도 영역(500 ppm~1, 000 ppm)에서 50% 정도의 우수한 감응 특성을 나타내었고, 작동온도도 175℃로 기존의 소자들보다 낮은 온도에서 최적으로 작동하였다.
그리하여 소자감응특성 향상을 위해 열처리를 행한 결과, 박막의 두께 감소와 결정의 최적 성장이 목격되었으나 박막은 더 조밀해 짐이 관찰되었다. 이에 따른 감응도를 측정한 결과 비표면적을 넓히지 않았어도 결정성장과 박막의 두께 감소만으로도 감응도의 증가를 보였다.
또한 500℃에서 2시간 동안 열처리한 소자는 안 한 소자보다 10% 정도의 향상된 감응 특성을 나타내었다. 장기 안정성 측정도 LPG 1, 000 ppm에 대중}여 수행되었으며, 감응도가 으}: 30 %에 수렴하여 일정시간이 지날 수 록 안정됨을 보였다.
10는 열처리한 소자와 하지 않은 소자의 감응도를 비교한 것이다. 저 농도 영역 (500ppm~l, 000ppm) 에서는열처리 한 것과 감응도 차이가 2~3 % 정도로 비교적 적었으나, 3, 000 ppm 이후로는 8%의 감응도 차이를 보였고, 5,000 ppm 이후로는 10% 이상의 현격한 차이를 보였다.
10, 000 ppm에서 소자의 감응도 는 H2 가스에 대하여 75 %로 가장 우수하였으며 , CH, 는 58%, LPG는 37% 순으로 감지의 우수성을 나타내었다. 저 농도 영역 (500ppm~l, 000ppm)에서는 감응도 변화율이 최고 50% 이상 되나 고농도 영역(5,000 ppm~10, 000 ppm)에서는 가스흡착이 포화가 되어 변화율이 5 % 이하로 급격히 낮아짐을 알 수 있었다. 그러므로 a-Fe2OySnO2 박막 소자는 고농도 영역보다는 저농도 영역에서 뛰어난 감응 특성을 나타냄을 알 수 있었다.
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